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專訪SiFotonics:硅光已至 全面進(jìn)軍市場時機(jī)成熟

摘要:一直致力于成為硅光子器件與集成技術(shù)的開創(chuàng)者與領(lǐng)導(dǎo)者的SiFotonics Technologies Co., Ltd.(以下簡稱“SiFotonics”),在CIOE 2016上打出了“硅光,已至”的口號,并展示了25G Ge/Si APD TO-Type ROSA及100G ICR 模塊等硅光產(chǎn)品的最新進(jìn)展。前去SiFotonics展臺參觀的人絡(luò)繹不絕。在這期間,訊石也對SiFotonics CEO潘棟博士進(jìn)行了專訪,了解公司硅光技術(shù)的發(fā)展動態(tài)。

  ICCSZ訊(編輯 summer) 前不久,備受業(yè)界關(guān)注的2016 Intel開發(fā)者論壇(IDF)上,Intel宣布,硅光電子100G收發(fā)器正式投入商用,并已批量出貨,此消息一出,給行業(yè)內(nèi)帶來了不小的沖擊。關(guān)于硅光子的技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)有多年的歷史了,如今的討論度更是火熱不已。

  一直致力于成為硅光子器件與集成技術(shù)的開創(chuàng)者與領(lǐng)導(dǎo)者的SiFotonics Technologies Co., Ltd.(以下簡稱“SiFotonics”),在CIOE 2016上打出了“硅光,已至”的口號,并展示了25G Ge/Si APD TO-Type ROSA及100G ICR 模塊等硅光產(chǎn)品的最新進(jìn)展。前去SiFotonics展臺參觀的人絡(luò)繹不絕。在這期間,訊石也對SiFotonics CEO潘棟博士進(jìn)行了專訪,了解公司硅光技術(shù)的發(fā)展動態(tài)。

  

  (SiFotonics團(tuán)隊:右二為CEO潘棟博士)

  致力硅光研發(fā) 全面進(jìn)軍市場時機(jī)成熟

  SiFotonics成立于2006年底,目前投資額近5000萬美元,公司在波士頓、北京、上海分別設(shè)立了研發(fā)中心,現(xiàn)有員工約100余人。核心技術(shù)團(tuán)隊匯集了來自MIT、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)的多名業(yè)界精英,投身于硅基光電產(chǎn)品前沿技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用。

  去年年底,SiFotonics在硅光領(lǐng)域中取得了決定性的突破:SiFotonics研發(fā)的正面入射型25G高速鍺硅雪崩二極管 (APD), 在1310nm靈敏度達(dá)到了-22.5dBm (BER=1E-12), 為所有探測器件中的最高性能,這是硅光有源芯片里程碑式的進(jìn)展:單個器件的性能超越傳統(tǒng)材料。

  據(jù)潘總介紹,“SiFotonics進(jìn)入硅光領(lǐng)域比較早,起初接觸到硅光時,感覺到硅光是長期而且有發(fā)展前景的,一開始先把鍺硅器件做好,然后再慢慢走向集成。如今經(jīng)過近十年的努力和積累、數(shù)代產(chǎn)品的更迭,SiFotonics的鍺硅PD/APD芯片已在性能、量產(chǎn)能力、可靠性等方面得到足夠的市場檢驗,目前各類產(chǎn)品已累計出貨近100萬顆,并開始推出硅光集成芯片如ICR。”

  

  (SiFotonics展臺)

  技術(shù)創(chuàng)新 提供高性價比光電器件

  硅光子技術(shù)是基于硅材料,利用現(xiàn)有CMOS工藝進(jìn)行光器件的開發(fā)和集成的新一代技術(shù),不僅在光通信,數(shù)據(jù)中心,在超級計算以及生物、國防、AR/VR技術(shù)等許多領(lǐng)域都將扮演極其關(guān)鍵的角色。

  據(jù)了解,硅光子在數(shù)據(jù)中心和接入網(wǎng)都有著廣泛的應(yīng)用,一旦應(yīng)用市場打開,需求量跟上,價格優(yōu)勢便會顯示出來。多年來SiFotonics專注于CMOS工藝的硅基光電器件及光電集成芯片的設(shè)計與開發(fā),通過技術(shù)創(chuàng)新為客戶提供高性價比的光電產(chǎn)品,可廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)光通信市場、數(shù)據(jù)中心、FTTx、HDMI遠(yuǎn)傳等帶寬需求量快速增長的市場。潘總認(rèn)為,“硅光是一種顛覆性的技術(shù)。 大量集成芯片的出現(xiàn)可以改變現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu) ,從市場的切入還有成本的優(yōu)勢上面,都顯示了非常強(qiáng)大的競爭力。”而對于如何促進(jìn)硅光發(fā)展,潘總認(rèn)為要發(fā)展應(yīng)該多與業(yè)界交流, 不能盲目跟從,找到一個合適自己的切入點,然后再深深扎進(jìn)去才是最好的選擇。

  邁向成熟 走出實驗室

  和多年以前不同,從前更多的企業(yè)都在觀望,而現(xiàn)在越來越多的企業(yè)、機(jī)構(gòu)開始進(jìn)入硅光領(lǐng)域,許多研究所也在花費心血進(jìn)行研究。對此,潘總認(rèn)為,從前硅光技術(shù)的產(chǎn)品化并不好,一直都只是在實驗室當(dāng)中,但現(xiàn)在硅光技術(shù)已經(jīng)在各個方面開始成熟了,很多硅光產(chǎn)品在市場上也開始出現(xiàn),大規(guī)模商用已近在眼前。

  來自Technavio分析師的最新預(yù)測顯示,從2016年到2020年間,全球硅光子市場的年復(fù)合增長率(CAGR)將超過48%,其中通信應(yīng)用占整體市場95%。Technavio認(rèn)為,硅光子市場增長的主要因素有四個:對更高網(wǎng)絡(luò)帶寬的需求;降低40Gbps以上速率的傳輸成本;來自公共資金的巨額投資;硅光子具有的能提升能源效率的特性。

  目前在硅光子領(lǐng)域雖然涌現(xiàn)出眾多公司,但實際上大部分公司都處在研究階段。而SiFotonics已實現(xiàn)鍺硅光電探測器(Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測器(Ge/Si APD)等產(chǎn)品的量產(chǎn)化,現(xiàn)已向市場全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其陣列,覆蓋波長范圍850nm~1577nm。目前公司的硅光產(chǎn)線也已完成硅光子集成技術(shù)的相關(guān)工藝調(diào)試,并成功試產(chǎn)高性能100G集成相干接收/發(fā)射芯片(ICR/ICT)。不久,SiFotonics將推出面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的100G集成收發(fā)芯片。

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