緊追臺(tái)積電 三星3nm工藝已量產(chǎn)三款芯片：功耗降低50%

  ICC訊  7月29日消息，在3nm節(jié)點(diǎn)，三星去年6月份就宣布量產(chǎn)，進(jìn)度比臺(tái)積電還快，不過(guò)后者拿到了蘋(píng)果等大客戶的訂單，三星沒(méi)有重量級(jí)客戶，這方面有所不如。

  在日前的財(cái)報(bào)中，三星表示3nm工藝的良率已經(jīng)穩(wěn)定，代工廠正在順利量產(chǎn)第三款3nm芯片，不過(guò)三星沒(méi)有透露是為誰(shuí)代工的。

  日前有傳聞稱AMD也在尋求三星3nm工藝代工，但AMD的官方態(tài)度很模糊，沒(méi)有承認(rèn)，但也表示確實(shí)在考慮臺(tái)積電以外的晶圓代工伙伴。

  三星的3nm工藝放棄FinFET晶體管技術(shù)，直接上了GAA晶體管，技術(shù)很激進(jìn)。

  根據(jù)三星說(shuō)法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%。

  不過(guò)三星3nm工藝初期的良率確實(shí)不高，最近才傳聞提升到了60%，比臺(tái)積電的3nm工藝55%的良率要好。

  此外，除了第一代3nm工藝之外，三星還提到第二代3nm工藝及2nm工藝的進(jìn)展良好，很有信心的樣子。