日本補(bǔ)貼美光EUV晶圓廠12.9億美元！

  ICC訊  據(jù)日媒報道，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正在將對美光廣島工廠的補(bǔ)貼從 3.2 億美元增加到 12.9 億美元，以加強(qiáng)國內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。對于日本政府來說，這筆款項是更大計劃的一部分，該計劃包括向各種芯片公司投資數(shù)十億日元，旨在增強(qiáng)日本的半導(dǎo)體實力。

  據(jù)悉，美光計劃到 2026 年開始使用依賴于極紫外(EUV)光刻的 1γ 工藝(第三代 10 納米級節(jié)點(diǎn))大批量生產(chǎn)復(fù)雜的存儲芯片，因此該公司需要盡快獲得資金。

  日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省為期兩年的 2 萬億日元(133.85 億美元)的龐大預(yù)算明確用于與半導(dǎo)體投資相關(guān)的補(bǔ)貼。其中，臺積電熊本工廠獲得高達(dá) 4760 億日元(31.857 億美元)的資金，鎧俠與西數(shù)的合作得到了價值 929 億日元(6.21 億美元)的補(bǔ)貼支持。

  此次對半導(dǎo)體公司的巨額資金注入凸顯了日本致力于減少對海外芯片供應(yīng)商的依賴并重建國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的承諾。日本旨在通過加強(qiáng)國內(nèi)能力來規(guī)避與國際供應(yīng)鏈中斷相關(guān)的潛在風(fēng)險，從而確保關(guān)鍵技術(shù)部件的平穩(wěn)和強(qiáng)勁的內(nèi)部供應(yīng)。