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敏芯半導體王任凡談5G基站建設的光芯片解決方案

摘要:1月4日,2020年訊石“創(chuàng)芯時代”邳州論壇暨年度總結(jié)大會成功舉辦,武漢敏芯半導體股份有限公司總經(jīng)理王任凡發(fā)表了《5G基站的光芯片解決方案》的主題報告,報告介紹了5G基站建設中的芯片應用方案及敏芯目前在5G光芯片解決方案上的技術(shù)進展。

  ICCSZ訊 (編輯:Jane)1月4日,2020年訊石“創(chuàng)芯時代”邳州論壇暨年度總結(jié)大會成功舉辦,會議匯聚光通信產(chǎn)業(yè)鏈300余人,超過150家企業(yè)參會。來自半導體材料、光通信芯片、光通信器件模塊、光纖光纜、科研院所和投資機構(gòu)的企業(yè)代表和技術(shù)專家發(fā)表了行業(yè)演講報告,圍繞通信芯片進行了深入的探討。

  會上,武漢敏芯半導體股份有限公司總經(jīng)理王任凡發(fā)表了《5G基站的光芯片解決方案》的主題報告,報告介紹了5G基站建設中的芯片應用方案及敏芯目前在5G光芯片解決方案上的技術(shù)進展。

  王總在演講中介紹到。在5G前傳、中傳和回傳的建設中,5G前傳的光模塊需求量最多。目前5G前傳的幾個光模塊方案有:

  1. 光纖直連-灰光方案;

  2. 無源WDM—彩光方案;

  3. 有源WDM-可調(diào)諧波長方案;

  4. 中國移動推出的半有源WDM-MWDM/LAN WDM 12波方案;

  目前看來,由于產(chǎn)業(yè)鏈尚未成熟,可調(diào)諧波長的方式在成本上不具備優(yōu)勢,行業(yè)對此關(guān)注度較少。

  5G前傳的光芯片應用方案

  1. 光纖直連按距離可分為300米和10公里的灰光方案,其中300米光芯片可以采用16G DFB超頻和25G PIN,而10公里光芯片通常采用25G DFB和25G PIN;光纖直連也可以按25G DFB波長分為1310nm的雙纖雙向,以及1270/1330nm的單纖雙向(BIDI)的方案,也是業(yè)界現(xiàn)行的方案。

  2. 10公里傳輸?shù)牟使饽K,按波長分為CWDM, MWDM和LWDM。 其中CWDM采用波長為1271-1371nm 的25G DFB+25G PIN方案,由于復用數(shù)據(jù)中心使用的CWDM波長,成本有優(yōu)勢,是業(yè)界主流方案之一。

  3. MWDM 12波的方案中采用了25G DFB+25G PIN/APD,DFB的波長為1267.5-1374.5nm。

  4. LWDM 12波方案采用的是波長為1269.23-1332.41nm的25G DFB/EML+25G PIN/APD。

  5. 可調(diào)諧的方案:由于DBR激光器的成本,目前還沒有實際應用。

  5G中傳和回傳的光芯片應用方案

  1. 10公里傳輸方案包括50G PAM4,光芯片采用25G DFB+25G PIN,1310nm波長;50G PAM4 BIDI,1270/1330nm波長,光芯片采用25G DFB+25G PIN。

  2. 40公里傳輸方案中,則需要采用50G PAM4 EML +50G PAM4 APD。

  在中國移動廣東公司2020年無源波分復用設備公開招標項目合計中,移動分別集采25G 彩光光模塊23萬支,10G彩光模塊28萬支。其中,集采的10G彩光模塊分為6波波長和12波波長,波長覆蓋1270nm~1370nm和1470nm~1570nm。據(jù)統(tǒng)計,2019年以來,無源彩光模塊直采招標合計為185.38萬只。王總預測,5G前傳光模塊在2020年的增長態(tài)勢明顯。

  武漢敏芯半導體股份有限公司于2017年成立于武漢中國光谷,公司致力于成為國內(nèi)光通信行業(yè)全系列光芯片制造商。目前,敏芯半導體擁有3000平米的潔凈室。月產(chǎn)能達5KK。敏芯具有全系列的光芯片解決方案,支持PON接入網(wǎng),無線接入,數(shù)據(jù)中心等市場。

  在5G前傳應用的光芯片產(chǎn)品里,敏芯已經(jīng)完成了10G/16G DFB系列芯片的轉(zhuǎn)產(chǎn)。16G DFB芯片波長1310nm ,屬于單模邊發(fā)射DFB激光器。采用AIGaInAs多量子阱結(jié)構(gòu),脊波導工藝,具有低閾值、高帶寬、寬溫工作的特點。芯片帶寬16GHz以上,支持工業(yè)級應用條件。可用于25Gb/s傳輸速率。10G DFB芯片可以提供全套波長,覆蓋1271nm-1611nm。

  敏芯25G DFB分別有25G 灰光、25G CWDM、25G MWDM、25G LWDM的方案。

  針對25G灰光方案,可提供的芯片包含:支持10公里傳輸1310nm的工業(yè)級25G DFB,應用于雙纖雙向中;支持10公里傳輸1270nm和1330nm的工業(yè)級25G DFB,應用于單纖雙向(BIDI)中。

  針對25G彩光方案,可提供的芯片包含:10公里傳輸6波1271-1371nm 25G DFB,支持擴展級(-20℃~85℃)CWDM6彩光模塊;10公里傳輸12波1267.5-1374.5nm 25G DFB,支持工業(yè)級MWDM彩光模塊;10公里傳輸12波1269.23-1332.41nm 25G DFB,支持工業(yè)級LWDM彩光模塊。王總向參會嘉賓展示了敏芯25G DFB芯片各波長的全溫度眼圖測試,測試結(jié)果非常優(yōu)秀。據(jù)介紹,25G DFB系列產(chǎn)品已經(jīng)通過5000小時的可靠性試驗。

  2019年9月,中國移動研究院網(wǎng)絡與信息技術(shù)研究所副所長李晗博士在深圳訊石研討會上首次提出了MWDM方案。由于敏芯在此之前有所布局, 2019年12月敏芯就迅速推出了支持工業(yè)級模塊溫度應用的MWDM 25G DFB激光器芯片系列,共12個波長通道,目前已經(jīng)在多個客戶端進行驗證測試。

  敏芯所布局的高速PD產(chǎn)品包括25G PIN和25G APD。其中25G PIN采用InGaAs/InP材料,GSG共面電極結(jié)構(gòu),具有高響應度,低暗電流,低電容值,高帶寬和高靈敏度的特點。 產(chǎn)品支持非氣密性封裝,光敏面為20um。此產(chǎn)品已通過大客戶認證并大批量出貨。

  5G中回傳的光芯片產(chǎn)品方面,敏芯正在加緊研發(fā)。公司的50G DFB采用AlGaInAs多量子阱結(jié)構(gòu)和脊波導工藝,支持50Gb/s PAM4信號10公里傳輸。50G EML采用InGaAsP/InP材料和BH工藝結(jié)構(gòu);支持28Gbaud/s NRZ及50Gb/s PAM4的信號傳輸。50G PIN PD正在研發(fā)中,約在2020年第一季度推出樣品。

  敏芯—5G前傳光芯片全系列產(chǎn)品

  作為一家國產(chǎn)的光通信芯片企業(yè),敏芯半導體秉承著“做好每一顆光芯片,讓世界愛上中國芯”的使命,為5G建設提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。

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