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南智光電攜手逍遙科技 | 基于PIC Studio平臺正式發(fā)布南智光電硅光PDK&培訓交流邀請

摘要:南智光電與逍遙科技合作發(fā)布硅光PDK IOPTEE-SIP-Si-Cband-V1.0,基于PIC Studio平臺,提供全流程設計支持,助力硅光設計用戶。雙方將于2025年4月21日舉辦線上培訓交流活動,歡迎報名。

  引言

  南智光電與逍遙科技共同宣布,基于PIC Studio光電芯片設計平臺的南智光電硅光PDK:IOPTEE-SIP-Si-Cband-V1.0正式發(fā)布,即將面向硅光設計用戶提供服務。

  合作背景

  南智光電的硅光制程平臺基于180 nm CMOS工藝線,采用具有3 μm埋氧層和220 nm頂層硅的200 mm SOI襯底,能夠?qū)崿F(xiàn)無源器件、熱光調(diào)諧器件等各類硅光子器件的制作。

  逍遙科技多年來專注于光電子集成電路設計自動化領(lǐng)域,PIC Studio平臺為光電子芯片設計提供了從設計、仿真到驗證的全流程支持。

  PDK內(nèi)容

  1. 完整PDK支持

  PIC Studio平臺完整支持南智光電的硅光PDK,包括但不限于:

●  南智光電提供的光柵耦合器、多模干涉耦合器、定向耦合器等無源器件

 ●  微環(huán)諧振腔等熱光調(diào)諧器件

  ●  各類波導器件的參數(shù)化設計

圖1:南智硅光平臺總覽圖。

 

圖2:器件庫性能參數(shù)表。

  2.精準DRC實現(xiàn)

  基于南智光電提供的設計規(guī)則(Design Rules),PIC Studio平臺實現(xiàn):

●  FE/SE/ME層波導最小寬度(0.18μm)檢查

●  HTR層最小寬度(2.00μm)與間距檢查

  ●  M1層金屬導線寬度與間距規(guī)則檢查

  ●  PAD層開口及其與M1層關(guān)系檢查

  ●  DTR層最小寬度(100μm)規(guī)則檢查

  ●  所有層的角度規(guī)則(禁止<85°)檢查

  3.pVerify工具集成

  逍遙科技的PIC Studio平臺集成專業(yè)的pVerify工具,為南智光電的硅光設計提供全面的DRC檢查功能:

  ●  實時DRC檢查,在設計過程中提前發(fā)現(xiàn)問題

  ●  批量DRC驗證,確保設計完全符合南智光電工藝要求

  ●  直觀的錯誤報告與可視化界面,幫助設計師快速定位并解決問題

圖3:展示版圖經(jīng)由 pVerify 工具進行工藝規(guī)則檢查后的結(jié)果,檢測出(a)波導寬度違規(guī)(b)銳角違規(guī)

硅光平臺MPW批次及時間表

  

  線上培訓交流 

  培訓內(nèi)容概覽

  南智光電硅光流片平臺最新工藝介紹(30分鐘)

  主講人:南智光電 溫文俊博士

  基于PIC Studio的PDK高效應用實操講解(30分鐘)

  主講人:逍遙科技 韓雨輝

  技術(shù)交流與答疑(20分鐘)

  培訓亮點

  展示商用軟件的設計優(yōu)勢

  完整PDK支持,解壓即用

  互動有獎

  本次培訓旨在幫助用戶深入了解IOPTEE PDK的應用,提高設計效率,歡迎廣大技術(shù)人員踴躍參與!

  主辦方:南智光電 逍遙科技

  2025年4月21日下午15:00-16:30

  活動地點:線上會議


(掃碼立即預約報名,名額有限,先到先得)


  關(guān)于南智光電

  南智光電硅光子學平臺基于180 nm CMOS工藝線,提供MPW、Full Mask、EBL等多種流片方式,可實現(xiàn)無源器件、熱光調(diào)諧器件等各類硅光子器件的制作,應用于數(shù)據(jù)通信、光計算、生物感測等領(lǐng)域。

  關(guān)于逍遙科技

  逍遙科技的自主研發(fā)PIC Studio平臺為光電子芯片設計提供設計、仿真到驗證的全流程支持。

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