三星攜手美企改善3納米良率 希望趕超臺(tái)積電

  ICC訊  據(jù)報(bào)道，三星已經(jīng)與美國的 Silicon Frontline Technology 公司合作，以提高其半導(dǎo)體芯片在生產(chǎn)過程中的良率，以便于在 3 納米工藝上趕超臺(tái)積電。

  報(bào)道中稱，三星電子先進(jìn)制程良率非常低，自 5 納米制程開始一直存在良率問題，在 4 納米和 3 納米工藝上情況變得更加糟糕。據(jù)傳三星 3 納米解決方案制程自量產(chǎn)以來，良率不超過 20%，量產(chǎn)進(jìn)度陷入瓶頸。

  三星目前在 4 納米和 5 納米工藝節(jié)點(diǎn)上出現(xiàn)了與產(chǎn)量有關(guān)的問題，該公司不希望這個(gè)問題再次出現(xiàn)在 3 納米工藝上。因此希望通過和 Silicon Frontline Technology 公司合作，幫助三星晶圓廠進(jìn)行前端(front-end)工藝和芯片性能改進(jìn)。

  IT之家了解到，這家美國公司提供芯片鑒定評(píng)估和 ESD(靜電放電)預(yù)防技術(shù)。ESD 是造成半導(dǎo)體芯片缺陷的主要原因之一，是由制造過程中設(shè)備和金屬之間的摩擦造成的。據(jù)報(bào)道，三星在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中已經(jīng)與 Silicon Frontline 公司合作了很長時(shí)間，并取得了令人滿意的結(jié)果。該公司現(xiàn)在將在芯片驗(yàn)證過程中使用該公司的技術(shù)。