相干光模塊技術(shù)和標準發(fā)展趨勢

  ICC訊 隨著單通道傳輸速率的提高，現(xiàn)代光通信領(lǐng)域越來越多的應(yīng)用場景開始用到相干光傳輸技術(shù)，相干技術(shù)從過去的骨干網(wǎng)(>1000km) 下沉到城域(100~1000km)甚至邊緣接入網(wǎng)(<100km)。另一方面在數(shù)通領(lǐng)域，相干技術(shù)也已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心間互聯(lián)(DCI)的主流方案(80~120km)。相干光鏈路的用量在未來幾年將迎來井噴式增長，這些新的應(yīng)用對相干光收發(fā)系統(tǒng)也提出了新的要求，推動著相干收發(fā)單元從原先和線卡集成方式、MSA模塊逐步向獨立的、標準化的可插拔光收發(fā)模塊形式演進。本文探討了可插拔相干光模塊的發(fā)展趨勢，并對400G相干標準進行了對比分析。

  可插拔相干光模塊的發(fā)展

  相比城域網(wǎng)或數(shù)據(jù)中心內(nèi)部使用的客戶端光模塊，光傳輸網(wǎng)絡(luò)中使用的相干光收發(fā)單元通常內(nèi)置或集成于線路側(cè)單板，存在端口密度低、體積功耗大、非標設(shè)計等問題。長期以來，網(wǎng)絡(luò)運營商一直希望傳輸光模塊具有與客戶端光模塊相同或相近的封裝，就像我們熟悉的10G網(wǎng)絡(luò)可以使用標準SFP+光模塊封裝實現(xiàn)一樣。近年隨著先進的CMOS工藝DSP芯片和集成光子技術(shù)的進步，使得體積更小和更低功耗的可插拔相干封裝光模塊成為可能。

  經(jīng)過多年發(fā)展，標準化、可插拔光模塊已經(jīng)是光通信線路側(cè)業(yè)務(wù)傳輸?shù)谋厝贿x擇。應(yīng)用于城域、骨干網(wǎng)絡(luò)的相干光模塊發(fā)展趨勢有以下幾個特點：

  -高速化： 從100G/200G到400G ， 再向800Gbps速率演進;

  -小型化：從100G MSA的封裝形態(tài)向CFP/CFP2DCO/ACO封裝形態(tài)轉(zhuǎn)變， 當前又提出了400G OSFP DCO和QSFP-DD DCO等封裝標準(如圖1所示);

  -低功耗化：考慮整體系統(tǒng)功耗要求，例如QSFP-DD封裝的相干光模塊產(chǎn)品功耗不能高于15W;

  -互聯(lián)互通的標準化：傳統(tǒng)上各設(shè)備廠家使用自行開發(fā)的專用接口板，使用私有的高階調(diào)制方式及FEC算法，不同廠家接口之間無法互通;相干光模塊的互聯(lián)互通是業(yè)界正在努力的方向。

圖1 三種標準化封裝形式的可插拔相干光模塊(QSFP-DD、OSFP、CFP2-DCO)

  隨著互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)的發(fā)展、云基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)以及AI人工智能運算方面的需求，電信和數(shù)據(jù)中心運營商對不同廠商光模塊的互通性提出了明確要求。在FEC標準方面，存在GFEC、SCFEC、RS10、CFEC、oFEC、SD-FEC等不同類型，對應(yīng)不同的速率與標準，總體可以劃分為三代：第一代為分組碼，增益要求6dB，開銷為6.7%;第二代為級聯(lián)交織迭代，增益要求8dB，開銷6.7%;第三代為軟判SD-FEC，增益要求為11dB，開銷大于25%，采用Turbo乘積碼(TPC)和低密度奇偶校驗碼(LDPC)算法，而基于星座圖概率整形的新一代FEC暫時未發(fā)布標準。在DSP算法上，以400ZR為例，規(guī)范了幀格式、非差分編碼、調(diào)整標記、符號映射規(guī)則、訓(xùn)練序列、導(dǎo)頻符號等互通必要信息。在MI S標準方面， 也已經(jīng)有CFP MIS、C-CMIS、CMIS等不同標準類型。

  中興通訊的相干光模塊產(chǎn)品在業(yè)界一直處于領(lǐng)先水平， 已經(jīng)先后推出了自研的100G/200G/400G/600G MSA模塊，并在業(yè)界率先推出了100G CFP、200G/400G DCFP2系列可插拔光模塊，采用自研光、電芯片的DCFP2/QSFP-DD等高集成度可插拔模塊也在逐步研制中。

  400G相干標準對比分析

  當前商用的相干技術(shù)發(fā)展到了單波長800G， 但800G目前業(yè)內(nèi)還沒有相關(guān)標準，而400G相干技術(shù)目前有400ZR、OpenROADM和OpenZR+三種標準。

  400ZR是光互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)論壇(OIF)于2016年啟動的一個項目，旨在標準化可互操作的相干光模塊接口，其功率預(yù)算可以支持QSFP-DD和OSFP之類的封裝，以期用于數(shù)據(jù)中心互聯(lián)(DCI)的400G相干光模塊。OIF建議的這種封裝聚焦于某些可以犧牲傳輸性能的特定應(yīng)用，因為其需要滿足15W模塊功率目標。OIF-400ZR目標在邊緣DCI應(yīng)用，客戶側(cè)僅定義了400GbE速率，傳輸距離為80~120km，采用CFEC前向糾錯。OIF證明了相干的互操作標準是可能的，并且其提出的400ZR解決方案在行業(yè)內(nèi)得到了較好的支持。同時，系統(tǒng)運營商證明，這些高密度封裝的熱性能還有進一步提升的空間，可以讓采用這些封裝的光模塊支持附加功能從而提供更高的性能。

  在OIF成功的基礎(chǔ)上，以AT&T為首的電信運營商定義了能夠支持更長距離傳輸?shù)臉藴蔕penROADM MSA。OpenROADM專為需要支持其他協(xié)議并且增加相應(yīng)開銷位比率的OTN網(wǎng)絡(luò)而設(shè)計。OpenROADM MSA主要面向電信運營商ROADM網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，在終端接口定義了100G、200G、400GbE速率&OTN，傳輸距離為500km，采用openFEC(oFEC)前向糾錯算法。

  400ZR和OpenROADM分別定義了用于數(shù)據(jù)中心互聯(lián)和電信光傳輸網(wǎng)絡(luò)的可插拔相干光模塊類型和性能特點，但各自也有一定的局限性和缺點，例如400ZR僅支持400GbE的客戶側(cè)接口，而OpenROADM僅考慮了電信運營商的網(wǎng)絡(luò)場景。

  因此，行業(yè)一些主流廠商綜合了OIF-400ZR和Open ROADM標準的各自優(yōu)點，推出了另一種MSA標準OpenZR+，這三種標準的大致演進關(guān)系如圖2所示。

圖2 相干光模塊互通標準的發(fā)展演化

  OpenZR+MSA應(yīng)用范圍更為廣闊，面向城域、骨干、DCI和電信運營商，旨在以QSFP-DD和OSFP等可插拔形式實現(xiàn)增強的功能并提高性能，以支持多供應(yīng)商的互操作性。OpenZR+不僅保持了400ZR的簡單以太網(wǎng)純主機接口，而且增加了對100G、200G、300G或400G線路接口的多速率以太網(wǎng)和多路復(fù)用功能的支持， 并采用OpenROADM MSA和CableLabs已經(jīng)標準化的oFEC，從而具有更高的分散容限和更高的編碼增益。2020年9月，OpenZR+發(fā)布了其第一個公開版本的指標書。OIF-400ZR、Open ROADM和OpenZR+三種標準所定義的相干光模塊主要性能指標對比如表1所示。

  表1 400ZR、OpenROADM、OpenZR+相干光模塊互通標準參數(shù)對比

  線路側(cè)光模塊采用與客戶側(cè)相同的封裝對網(wǎng)絡(luò)運營商來說是有益的，這樣通過更簡單的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)來降低成本。結(jié)合近來開放線路系統(tǒng)(Open Line System, OLS)的行業(yè)趨勢，這些傳輸光模塊可以直接插入路由器使用而無需外部傳輸系統(tǒng)。這樣可以簡化控制平臺，同時降低成本、功耗和占地面積。例如圖3所示的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用場景，用戶可以選擇直接將滿足OpenZR+的相干光模塊插到支持OLS的路由器的端口上，也可以將其插到用來實現(xiàn)信號協(xié)議轉(zhuǎn)換的傳輸設(shè)備的線路側(cè)端口上，再通過該設(shè)備的客戶側(cè)端口與路由器連接。

  相干DSP、相干光模塊供應(yīng)商積極進行相干光模塊的互通性測試，如Acacia、NEL、Inphi、NeoPhotonics等，目前短距離傳輸相干光模塊可以實現(xiàn)多廠家互通。

圖3 支持OpenZR+的應(yīng)用示例

  400G相干之后的技術(shù)演進分析

  從標準化演進來看，下一代超400G相干可插拔產(chǎn)品很有可能采取單波800G速率。近期，OIF正在討論制定400ZR下一代的相干技術(shù)標準800ZR。目前初步考慮的目標是支持80~120km(經(jīng)過放大的)DWDM鏈路用于DCI場景，不經(jīng)過放大的2~10km鏈路用于園區(qū)場景?？蛻魝?cè)接口支持2×400GE或1×800GE，線路側(cè)支持單波長800G相干線路接口。定義從客戶側(cè)映射到線路側(cè)的幀結(jié)構(gòu)指標以及線路側(cè)的信號指標用于實現(xiàn)互通性。組件層面，OIF也在討論下一代支持更高調(diào)制速率的相干調(diào)制器技術(shù)規(guī)范OIF-HB-CDM2.0。國內(nèi)方面，近日CCSA光器件工作組通過了6項800Gbps光器件行業(yè)標準的立項， 其中包括800Gbps IC-TROSA、1×800Gbps相位調(diào)制光模塊。

  在光、電芯片技術(shù)發(fā)展方面，800ZR的光模塊產(chǎn)品可能會用到5nm甚至更先進制成的DSP芯片、硅基混合集成光芯片和Flip Chip工藝等先進封裝技術(shù)， 相干光收發(fā)組件要能支持96/128GBaud、DP-64QAM/DP-16QAM高階調(diào)制的信號。當波特率達到128GBd時，光芯片的帶寬至少要70~80GHz，基于硅光材料的調(diào)制器可能無法支持如此高的速率，而傳統(tǒng)III-V材料的光調(diào)制器理論上可以達到，但實現(xiàn)難度也會相當大。因此業(yè)界也在嘗試一些新的材料與器件技術(shù)，比如薄膜鈮酸鋰(TFLN)。鈮酸鋰一直被認為是用來做光調(diào)制器的優(yōu)選材料，傳統(tǒng)的體材料鈮酸鋰調(diào)制器由于體積龐大且?guī)捠芟抻谄骷叽?，無法支持64GBd以上的波特率應(yīng)用，近年來由于薄膜鈮酸鋰芯片加工技術(shù)的突破，使鈮酸鋰調(diào)制器也可以實現(xiàn)小尺寸和高帶寬，因此被認為是實現(xiàn)100GBd及以上的光調(diào)制器的潛在技術(shù)方向。此外，要實現(xiàn)器件級的高帶寬，電驅(qū)動芯片和封裝技術(shù)也是要解決的難點之一。

  作者：中興光電子 何子安，王會濤