中科院：光刻技術得到重大發(fā)展

  ICC訊 6月10日，中國科學院官網(wǎng)刊文稱，上海光機所在計算光刻技術研究方面取得重要進展。

  中科院上海光學精密機械研究所信息光學與光電技術實驗室，提出一種基于虛擬邊(Virtual Edge)與雙采樣率像素化掩模圖形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光學鄰近效應修正技術(Optical proximity correction, OPC)。仿真結果顯示，這技術具有較高的修正效率。

  隨著集成電路圖形的特征尺寸不斷減小，光刻系統(tǒng)的衍射受限屬性導致明顯的光學鄰近效應，降低了光刻成像質(zhì)量。

  在光刻機軟硬件不變的情況下，采用數(shù)學模型和軟件算法對照明模式、掩模圖形與工藝參數(shù)等進行優(yōu)化，可有效提高光刻分辨率、增大工藝窗口，此類技術即計算光刻技術(Computational Lithography)，被認為是推動集成電路芯片按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展的新動力。

  快速光學鄰近效應修正技術(Optical proximity correction, OPC)通過調(diào)整掩模圖形的透過率分布修正光學鄰近效應，從而提高成像質(zhì)量?；谀Ｐ偷腛PC技術是實現(xiàn)90nm及以下技術節(jié)點集成電路制造的關鍵計算光刻技術之一。