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源杰半導體上交所科創(chuàng)板IPO已獲受理:擬募資9.8億元

摘要:陜西源杰半導體上交所科創(chuàng)板IPO已獲得受理,擬發(fā)行股份不超過1500萬股,擬募集資金人民幣9.8億元,主要用于10G、25G光芯片產(chǎn)線建設(shè)項目,50G光芯片產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目,研發(fā)中心建設(shè)項目以及補充流動資金。

  ICC訊 (編輯:Nicole) 近日,根據(jù)上交所官網(wǎng)顯示,陜西源杰半導體科技股份有限公司(以下簡稱“源杰半導體”或“公司”)科創(chuàng)板IPO已獲得受理。

  根據(jù)源杰半導體發(fā)布的首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市招股說明書顯示,本次擬發(fā)行股份不超過1500萬股,擬募集資金人民幣9.8億元,主要用于10G、25G光芯片產(chǎn)線建設(shè)項目,50G光芯片產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目,研發(fā)中心建設(shè)項目以及補充流動資金。

  報告期內(nèi),源杰半導體營業(yè)收入分別為:2018年度營收 7,041.11 萬元、2019年度營收8,131.23 萬元、2020年度營收23,337.49 萬元和 2021年上半年度營收8,751.34 萬元。其中,2020 年度營業(yè)收入規(guī)模迅速增長,主要系在 5G 政策推動下,下游市場對公司的 25G 激光器芯片系列產(chǎn)品需求量大幅增長所致。

  同時招股說明書顯示,源杰半導體正在加速研發(fā)下一代激光器芯片產(chǎn)品,并積極拓展光芯片在其他領(lǐng)域的應用。目前,在光通信領(lǐng)域已著手50G、100G高速率激光器芯片產(chǎn)品以及硅光直流光源大功率激光器芯片產(chǎn)品的商用推進,力圖實現(xiàn)在高端激光器芯片產(chǎn)品的特性及可靠性方面對美、日壟斷企業(yè)的全面對標。同時已與部分激光雷達廠商達成合作意向,努力實現(xiàn)新技術(shù)領(lǐng)域的彎道超車。

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