2028年基于GaN的電信基礎(chǔ)設(shè)施器件市場將超13億美元

  ICC訊（編譯：Nina）近日，Yole Intelligence發(fā)布了最新版本的RF GaN（射頻氮化鎵）報告。報告預(yù)測，RF GaN器件在電信基礎(chǔ)設(shè)施中的加速采用，以及GaN-on-Si（硅基氮化鎵）技術(shù)的新機(jī)遇，將驅(qū)動RF GaN器件市場在2028年達(dá)到27億美元。

  電信和國防是RF GaN的主要市場驅(qū)動力

  在電信基礎(chǔ)設(shè)施中，GaN以其高功率和高頻性能優(yōu)勢滲透到了各種基站中。隨著宏/微蜂窩從RRH（射頻拉遠(yuǎn)頭）向AAS（有源天線系統(tǒng)）的過渡，Massive MIMO需要每個基站更多的PA單元。與LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）相比，在3GHz以上的頻率下具有更高的PAE和更寬的頻帶能力是GaN發(fā)展的機(jī)會。到2028年，基于GaN的電信基礎(chǔ)設(shè)施器件市場預(yù)計將超過13億美元，占總市場的近45%。

  作為傳統(tǒng)的GaN市場，國防領(lǐng)域是GaN RF的主要驅(qū)動力之一。GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵）仍然是在國防雷達(dá)、電子戰(zhàn)和國防通信應(yīng)用中提供苛刻應(yīng)用的主要平臺。

  三大供應(yīng)商穩(wěn)定增長 恩智浦進(jìn)入電信行業(yè)獲得高收入

  截至2023年，由于供應(yīng)鏈已經(jīng)發(fā)展良好，GaN-on-SiC仍然是RF GaN的主要平臺。然而，綜合國防制造商(Integrated Defense Manufacturer，IDM)是首選的商業(yè)模式，因?yàn)镮DM可以從他們在電信和國防市場的現(xiàn)有客戶渠道中受益。

  2022年，SEDI、Qorvo和Wolfspeed在RF GaN器件業(yè)務(wù)中處于領(lǐng)先地位，而恩智浦(NXP)通過進(jìn)入電信市場的供應(yīng)鏈獲得了顯著增長。S.I.SiC晶圓市場仍由Wolfspeed、Coherent和SICC三大供應(yīng)商共享。在國防領(lǐng)域，雷神公司(Raytheon)、諾斯羅普·格魯曼公司(Northrop Grumman)和中國電科公司(Chinese CETC)在GaN的采用方面處于領(lǐng)先地位。Wolfspeed和Qorvo也是GaN的鑄造廠。愛立信和諾基亞專注于電信市場的供應(yīng)，繼續(xù)從多家供應(yīng)商那里擴(kuò)大RF GaN器件的供應(yīng)，而三星則與韓國供應(yīng)商密切合作。自美國制裁以來，華為和中興已轉(zhuǎn)向中國供應(yīng)鏈，以發(fā)展國內(nèi)能力。

  電信業(yè)的新機(jī)遇為RF GaN-on-Si打開了大門

  截至2023年，主流的GaN技術(shù)是在SiC襯底上。該技術(shù)已經(jīng)成熟，并在高功率和高頻率下表現(xiàn)出良好的性能。在過去幾年中，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、MACOM、Ommic、英飛凌(Infineon)以及GlobalFoundries、聯(lián)華電子(UMC)等玩家一直致力于引入RF GaN-on-Si技術(shù)。由于電信小蜂窩(Small Cell)需要更低功耗的PA, GaN-on-Si可以在10W以下的32T32R 64T64R mMIMO基站中找到最佳點(diǎn)。Yole Intelligence預(yù)計，從2023年底開始，GaN-on-Si將進(jìn)入市場，并在未來幾年占據(jù)市場份額。

  隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展，為Ku/K/Ka頻段開發(fā)平臺的廠商甚至瞄準(zhǔn)了0.1μm以下的節(jié)點(diǎn)，用于sub-Thz頻率和未來潛在的6G市場。新興的用于RF應(yīng)用的GaN-on-Si平臺的目標(biāo)是在低功率水平下利用效率和寬帶寬實(shí)現(xiàn)低于6GHz的小蜂窩。然而，考慮到改變手機(jī)系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性，這是GaN-on-Si的長期目標(biāo)市場。