臺(tái)積電突破2nm芯片技術(shù)

  ICC訊 近日，據(jù)臺(tái)灣相關(guān)媒體報(bào)道，臺(tái)積電2nm芯片技術(shù)研發(fā)已取得重大突破，找到了實(shí)現(xiàn)的路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，GAA)。按照臺(tái)積電的計(jì)劃，其2nm制程芯片將在2023年-2024年間推出。

  臺(tái)積電3nm制程芯片預(yù)計(jì)明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)，并將于2022年量產(chǎn)。臺(tái)積電今年4月曾表示，3nm制程芯片仍會(huì)沿用FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù)，主要考慮是客戶在導(dǎo)入5nm制程后，采用同樣的設(shè)計(jì)即可導(dǎo)入3nm制程，可以持續(xù)帶給客戶有成本競(jìng)爭(zhēng)力、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品。

  據(jù)悉，臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星已決定在3nm技術(shù)領(lǐng)域率先導(dǎo)入GAA 技術(shù)，并宣稱到2030年超過(guò)臺(tái)積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位。臺(tái)積電在2nm技術(shù)研發(fā)上取得突破，再次獲得對(duì)三星的相對(duì)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。