臺積電突破2nm芯片技術(shù)

  ICC訊 近日，據(jù)臺灣相關(guān)媒體報道，臺積電2nm芯片技術(shù)研發(fā)已取得重大突破，找到了實(shí)現(xiàn)的路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，GAA)。按照臺積電的計劃，其2nm制程芯片將在2023年-2024年間推出。

  臺積電3nm制程芯片預(yù)計明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)，并將于2022年量產(chǎn)。臺積電今年4月曾表示，3nm制程芯片仍會沿用FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)技術(shù)，主要考慮是客戶在導(dǎo)入5nm制程后，采用同樣的設(shè)計即可導(dǎo)入3nm制程，可以持續(xù)帶給客戶有成本競爭力、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品。

  據(jù)悉，臺積電的競爭對手三星已決定在3nm技術(shù)領(lǐng)域率先導(dǎo)入GAA 技術(shù)，并宣稱到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位。臺積電在2nm技術(shù)研發(fā)上取得突破，再次獲得對三星的相對領(lǐng)先優(yōu)勢。