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總投資6億元,芯元基第三代半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目落戶安徽池州

摘要:上海芯元基第三代半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目正式簽約落戶安徽池州高新區(qū)。該UVA及DPSS項(xiàng)目總投資6億元,規(guī)劃用地約100畝。

  ICC訊  11月20日,上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱“芯元基”)第三代半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目正式簽約落戶安徽池州高新區(qū)。

  據(jù)池州日報(bào)報(bào)道,該UVA及DPSS項(xiàng)目總投資6億元,規(guī)劃用地約100畝,分兩期建設(shè):其中一期投資2億元,打造一條GaN基DPSS襯底生產(chǎn)線,一條UVA365nm芯片生產(chǎn)線,并建設(shè)配套設(shè)施等;二期投資4億元,建設(shè)行政、生產(chǎn)一體化廠房及配套, 計(jì)劃于2023年6月前實(shí)現(xiàn)年度銷售收入不低于1億元。

  芯元基成立于2014年10月24日,是一家半導(dǎo)體元器件研發(fā)生產(chǎn)商,主要從事以GaN為主的第三代半導(dǎo)體材料和器件開發(fā),具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的復(fù)合圖形化襯底(DPSS)、藍(lán)寶石襯底化學(xué)剝離和晶圓級(jí)芯片封裝等LED芯片創(chuàng)新技術(shù)。

  今年6月,芯元基完成了870萬元A+輪融資,投資方為中微公司等。

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關(guān)鍵字: 芯元基 半導(dǎo)體 氮化鎵
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