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總投資6億元，芯元基第三代半導體氮化鎵項目落戶安徽池州

訊石光通訊網(wǎng)   發(fā)布時間:2020/11/24 16:26:02  編者:圖圖
摘要：上海芯元基第三代半導體氮化鎵項目正式簽約落戶安徽池州高新區(qū)。該UVA及DPSS項目總投資6億元，規(guī)劃用地約100畝。

  ICC訊  11月20日，上海芯元基半導體科技有限公司(簡稱“芯元基”)第三代半導體氮化鎵項目正式簽約落戶安徽池州高新區(qū)。

  據(jù)池州日報報道，該UVA及DPSS項目總投資6億元，規(guī)劃用地約100畝，分兩期建設：其中一期投資2億元，打造一條GaN基DPSS襯底生產(chǎn)線，一條UVA365nm芯片生產(chǎn)線，并建設配套設施等;二期投資4億元，建設行政、生產(chǎn)一體化廠房及配套， 計劃于2023年6月前實現(xiàn)年度銷售收入不低于1億元。

  芯元基成立于2014年10月24日，是一家半導體元器件研發(fā)生產(chǎn)商，主要從事以GaN為主的第三代半導體材料和器件開發(fā)，具有自主知識產(chǎn)權(quán)的復合圖形化襯底(DPSS)、藍寶石襯底化學剝離和晶圓級芯片封裝等LED芯片創(chuàng)新技術。

  今年6月，芯元基完成了870萬元A+輪融資，投資方為中微公司等。

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關鍵字: 芯元基 半導體 氮化鎵
文章標題:總投資6億元，芯元基第三代半導體氮化鎵項目落戶安徽池州
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