單光子源技術(shù)推動量子通信發(fā)展

　　ICCSZ訊  量子通信中有三項核心技術(shù)，分別是單光子源技術(shù)、量子編碼和傳輸技術(shù)、單光子檢測技術(shù)。大量研究已經(jīng)證明，使用單光子源的量子通信是絕對安全的，并且具有很高的效率。由此可見，理想的單光子源是量子通信的基礎(chǔ)，其特性的研究具有很高的價值。

　　基于安全性方面考慮，為了保證在通信過程中不會被光子數(shù)分束攻擊，理想的單光子源應(yīng)該嚴(yán)格滿足每個脈沖中僅含有一個光子。然而，現(xiàn)階段大多數(shù)實驗所用的光源都是經(jīng)過強(qiáng)烈弱光脈沖衰減得到，其光子數(shù)服從泊松分布。這種光源嚴(yán)格意義上講是無法實現(xiàn)單光子脈沖的，實際做法是盡量降低每個脈沖里含有兩個以上光子的幾率，降低到不會對安全性產(chǎn)生影響。通信系統(tǒng)中是存在損耗的，即使脈沖中含有兩個以上的光子也很少帶來安全隱患，此外由于脈沖大多是不含光子的空脈沖，因此嚴(yán)重降低了密鑰分配系統(tǒng)的傳輸效率，同時也增加了系統(tǒng)的誤碼率。所以高性能單光子源的研究已經(jīng)成為影響量子通信發(fā)展的重要課題之一。

　　量子點單光子源：使用量子點可以穩(wěn)定地發(fā)出單個光子流，每個光子可由光譜過濾器分離出來。與其他單光子源相比，量子點單光子源具有較高的振子強(qiáng)度，較窄的譜線寬度，且不會發(fā)生光退色。目前的半導(dǎo)體基本上可以覆蓋從可見光到紅外波段。

　　量子點單光子源的研究一直很活躍。2001年斯坦福大學(xué)的科研人員在GaAs襯底上制造出一層發(fā)光波長為877nm的InGaAs量子點，通過激光器發(fā)射把激光發(fā)射到量子點的臺面上。結(jié)果表明，在激光脈沖的作用下產(chǎn)生的激子進(jìn)入一個量子點后，量子點吸收一個光子后再吸收第二個光子的可能性大大降低，這使產(chǎn)生反聚束光子流成為可能。Toshiba-Cambridge大學(xué)的歐洲聯(lián)合研究小組在2002年采用量子點結(jié)構(gòu)的LED實現(xiàn)了電注入單光子發(fā)射。2005年他們成功利用量子點制造出波長在1.3μm通信波段的單光子光源。2007年，我國中科院半導(dǎo)體研究所超晶格國家重點實驗室相關(guān)研究人員成功實現(xiàn)了量子點的單光子發(fā)射:8K溫度下脈沖激光激發(fā)InAs單量子點，可以觀測到932nm的單光子發(fā)射，發(fā)射速率大于10kHz。但是，這一領(lǐng)域仍然有很多難題需要解決，比如尺寸、形狀的均一性控制，光譜的單色控制，以及對低溫的要求等。

　　納米天線單光子源：基于SPP共振效應(yīng)的納米天線結(jié)構(gòu)可以有效收集光能量，并將其限制在亞波長尺度，其巨大的局域場增強(qiáng)效應(yīng)為納米光子學(xué)提供了廣闊的應(yīng)用前景。

　　目前，每個脈沖產(chǎn)生一個光子的器件已經(jīng)研制成功，問題是怎樣將產(chǎn)生的光子沿某一特定的方向高效率地發(fā)射出去。光子晶體、介質(zhì)球、光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)、金屬表面等都可以改變光場方向，而共振光學(xué)天線對光場的改變更為局限化。它可以將入射光場有效限制在亞波長區(qū)域，也可使納米尺度的小顆粒輻射強(qiáng)度顯著增強(qiáng)，同時改變輻射方向。實驗證明，天線的等離子模式調(diào)到附近分子電子躍遷的頻率附近時會產(chǎn)生共振，發(fā)光分子與天線產(chǎn)生足夠強(qiáng)的耦合，這樣就可以控制發(fā)光方向。Van Hulst小組將長為80nm的鋁制單耦天線接近一個熒光分子，通過改變天線與光的耦合方式，分子發(fā)出的光可以被調(diào)整90°。R.Esteban小組于2009年介紹了一種金屬等離子電線產(chǎn)生單光子激發(fā)的方案，該方案是在等離子腔中利用金屬光學(xué)共振原理和避雷針尖端放電理論提出的，并且給出了數(shù)值模擬結(jié)果。隨著表面等離子體的發(fā)展，納米天線單光子源一定會從理論走向應(yīng)用。