臺(tái)積電CoWoS工藝價(jià)格上漲需求激增

  ICC訊 據(jù)中國臺(tái)灣媒體《自由財(cái)經(jīng)》報(bào)道，自2025年1月起，臺(tái)積電將對(duì)其3nm、5nm及CoWoS工藝的代工價(jià)格進(jìn)行上調(diào)，預(yù)計(jì)漲幅將在5%到20%之間。

  CoWoS或迎來量/價(jià)/需求齊升，CoWoS-S轉(zhuǎn)向CoWoS-L趨勢(shì)明顯。在量方面，根據(jù)DIGITIMESResearch數(shù)據(jù)，受云端AI加速器需求旺盛推動(dòng)，2025年全球?qū)oWoS及類似封裝產(chǎn)能的需求或?qū)?strong>增長(zhǎng)113%。主要供應(yīng)商臺(tái)積電、日月光科技控股（包括矽品精密工業(yè)、SPIL）和安靠正在擴(kuò)大產(chǎn)能。根據(jù)DIGITIMESResearch報(bào)告，到2025年第四季度末，臺(tái)積電的月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增至6.5萬片以上12英寸晶圓當(dāng)量，而安靠和日月光合用產(chǎn)能將增至1.7萬片晶圓；英偉達(dá)是臺(tái)積電CoWoS封裝工藝最大客戶，受惠于英偉達(dá)Blackwell系列GPU量產(chǎn)，臺(tái)積電將從2025年第四季開始由CoWoS-S轉(zhuǎn)為CoWoS-L制程，使CoWoS-L成為臺(tái)積電CoWoS技術(shù)的主要制程；英偉達(dá)對(duì)CoWoS-L工藝需求可能會(huì)從2024年的3.2萬片晶圓大幅增加至2025年的38萬片晶圓，同比增長(zhǎng)1018%。

  根據(jù)DIGITIMESResearch預(yù)計(jì)，2025年第四季CoWoS-L將占臺(tái)積電CoWoS總產(chǎn)能的54.6%，CoWoS-S為38.5%，CoWoS-R則為6.9%。價(jià)方面，根據(jù)半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng)數(shù)據(jù)，臺(tái)積電3nm和5nm制程技術(shù)的價(jià)格將上升5%到10%，CoWoS工藝將漲價(jià)15%到20%（供不應(yīng)求），這一調(diào)整既源于AI領(lǐng)域?qū)τ?jì)算能力的需求激增，也顯示了制程技術(shù)成本的不斷上升。需求方面，根據(jù)半導(dǎo)體縱橫數(shù)據(jù)，英偉達(dá)占CoWoS整體供應(yīng)量比重超過50%，A100、上半年00及BlackwellUltra等產(chǎn)品均會(huì)采用CoWoS封裝，2025年英偉達(dá)將會(huì)推廣采用CoWoS-L技術(shù)的B300和GB300系列。AMD的MI300采用臺(tái)積電SoIC（3D）和CoWoS（2.5D）兩種封裝技術(shù)。此外，博通、微軟、亞馬遜、谷歌對(duì)于CoWoS也存有一定需求。

  CoWoS-L確保良好的系統(tǒng)性能同時(shí)避免大型硅中介層良率損失。CoWoS-L中介層包括多個(gè)本地硅互連（LSI）芯片和全域再分布層（RDL），形成一個(gè)重組中介層（RI），以取代CoWoS-S中的單片硅中介層。LSIChiplet與CoWoS-S相比保留了亞微米級(jí)銅互連、硅通孔（TSV）和嵌入式深溝電容器（eDTC），以確保良好系統(tǒng)性能，同時(shí)避免大型硅中介層良率損失問題。此外，在RI中引入穿絕緣體通孔（TIV）作為垂直互連，以提供比TSV更低的插入損耗路徑。CoWoS-L目前已成功實(shí)現(xiàn)采用3倍掩模尺寸（約2500平方毫米）的插接器，搭載多個(gè)SoC/芯片模組和8個(gè)HBM方案。LSI制造有兩種路線，LSI-1和LSI-2，主要區(qū)別在于互連金屬方案：在制造LSI-1時(shí)，首先在300毫米硅芯片上制造TSV和一層單大馬士革銅金屬(M1)。然后，用未摻雜硅酸鹽玻璃（USG）作為介電層的雙大馬士革銅形成互連結(jié)構(gòu)。在LSI-1金屬方案中，雙大馬士革銅工藝提供的最小金屬寬度/空間為0.8、0.8μm，厚度為2μm；LSI-2具有相同的TSV結(jié)構(gòu)和M1金屬方案。制造出M1層后，通過半新增工藝（SAP），以聚酰亞胺（PI）為介質(zhì)層的銅RDL形成互連結(jié)構(gòu)。SAP銅RDL的最小寬度/空間為2、2μm，厚度為2.3μm。