ICC訊 PAM4是脈沖幅度調(diào)制技術(shù),采用4個不同的信號電平來進(jìn)行信號傳輸。4表示四個不同的幅度狀態(tài),分別對應(yīng)于 00、01、11和10四種狀態(tài),每個符號代表2比特信息。因此PAM4以53G波特率運行下,共可以承載106Gbps數(shù)據(jù)。
相干光通信中主要利用了相干調(diào)制和外差檢測技術(shù),就是利用要傳輸?shù)男盘杹砀淖児廨d波的頻率、相位和振幅(而不象強(qiáng)度檢測那樣只是改變光的強(qiáng)度),這就需要光信號有確定的頻率和相位(而不象自然光那樣沒有確定的頻率和相位),即應(yīng)是相干光。主要用于高速率、長距離傳輸。
PAM4一般用于高速率、中短距離傳輸,極其符合新一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)部連接。
以納多德400G光模塊為例,400G QSFP-DD SR8采用50Gbps PAM4調(diào)制,傳輸距離可達(dá)100m,廣泛用于數(shù)據(jù)中心400G直連、400G-2*200G互連及400G-8x50G互連;而400G QSFP-DD DR4采用100Gbps PAM4調(diào)制,傳輸距離可達(dá)500m,可用于數(shù)據(jù)中心400G直連及400G-4*100G互連。納多德400G QSFP-DD FR4/LR4是采用100Gbps PAM4調(diào)制,傳輸距離分別可達(dá)2km和10km。
在DCI長距互聯(lián)場景下,PAM4顯得有些力不從心,而基于400ZR協(xié)議的相干調(diào)制,可以波特率約為 60Gbaud的雙極化16QAM (DP-16QAM) 調(diào)制運行(光信號的相位和幅度中都被編碼),支持單波長承載400Gbps或更高的速率。當(dāng)然這也就對光模塊激光器提出了更高的性能要求,需要超窄線寬激光器、I/Q 調(diào)制器和相干接收器。與PAM4采用的直接調(diào)制相比,可以傳輸?shù)母h(yuǎn)。 事實上,兩種技術(shù)的波特率是相似的,但相干傳輸使用更大功率的DSP可以實現(xiàn)比PAM4調(diào)制更多數(shù)據(jù)的單波長編碼。PAM4通過使用多波長和簡單的激光器進(jìn)行補(bǔ)償。 但是,隨著數(shù)據(jù)中心速率的增長,這兩種技術(shù)出現(xiàn)了“重疊”。在800G時代,PAM4和相干的技術(shù)差距將變得更小。而決定一種技術(shù)是否具有競爭力,無非是考慮成本和功耗。
成本在保持波特率不變的情況下,將數(shù)據(jù)速率加倍的最簡單方法是提升硬件。比如說PAM4可以使用4或8個100G/200G波長,相干調(diào)制則可以使用2個400G波長。 另一種方式是提高波特率,比如說將波特率加倍到大約110Gbaud,以實現(xiàn)總體速率從400到800Gbps的提升。對于相干技術(shù)而言,這就變成I/Q調(diào)制器和接收器是采用InP還是硅光子的問題。硅光子成本相比較低,但其性能也明顯較低??梢哉f硅光子具有高峰值電壓和較差的帶寬,而InP具有低峰值電壓和良好的帶寬,但其成本更高。 對于PAM4,可以使用間接調(diào)制EML,帶有內(nèi)置磷化銦(InP)的激光器?;蛘呤鞘褂霉韫庾诱{(diào)制器的集成陣列和InP激光器陣列。跟相干方案一樣,相對于EML解決方案,高峰值電壓和較差的帶寬給硅光子帶來阻礙,但硅光子成本更便宜。 無論是PAM4還是相干技術(shù),InP模塊成本較高,而硅光要便宜一些。
功耗在功耗上,隨著芯片技術(shù)由7nm演進(jìn)到5nm,甚至3nm,不僅僅是DSP處理速率的提升,而且在降功耗上也表現(xiàn)得越來越優(yōu)異。如下圖所示,100G相干比100G PAM4高出近10倍的功耗,但這種差異會在基于5nm節(jié)點800G應(yīng)用明顯降低。下圖展示了相干和PAM4 DSP在不同CMOS節(jié)點的功耗表現(xiàn)
這些方案都已被不同的公司通過實驗得到證明。納多德認(rèn)為,隨著產(chǎn)量的增加和成本的降低,相干方案只需要一個激光器、調(diào)制器和接收器的這一事實將使其能夠達(dá)到媲美PAM4的成本競爭力,即使光器件變得更加復(fù)雜。然后,相干方案可實現(xiàn)的更大靈活性和性能就可以發(fā)揮作用。PAM4用4個簡單的激光器、調(diào)制器和接收器,即使它們在800G時不是那么簡單,也足以快速降低成本,保持領(lǐng)先相干的競爭力??傮w而言,相干和PAM4傳輸?shù)母偁幰呀?jīng)開始,未來結(jié)果還需等待。