II-VI宣布收購Ascatron和INNOViON

  ICC訊（編譯：Nina）2020年8月12日--化合物半導體領導者II-VI Incorporated(納斯達克：IIVI)今天宣布，它已達成一項最終協(xié)議，收購碳化硅SiC外延晶片和電力電子器件領導者Ascatron AB的所有已發(fā)行股份。II-VI還宣布，它將收購用于硅和化合物半導體器件的離子注入技術的領導者INNOViON Corporation。兩項交易均計劃在2020日歷年完成。

  Ascatron生產(chǎn)最先進的SiC外延晶片和器件，支持各種高壓電力電子應用。Ascatron由寬帶隙材料專家團隊領導，他們在SiC和半導體行業(yè)中擁有200余人年(person-years)的經(jīng)驗，為SiC開發(fā)和生產(chǎn)工藝帶來世界一流的競爭力。

  INNOViON是世界上最大的離子注入服務提供商，在全球范圍內(nèi)擁有30臺注入器，支持最大300毫米晶圓的半導體材料處理方面的獨特功能。INNOViON的工藝能夠摻雜各種半導體材料，包括碳化硅、砷化鎵、磷化銦和硅，以生產(chǎn)先進的器件。

  II-VI首席執(zhí)行官Vincent D.(Chuck) Mattera Jr.博士表示：“Ascatron和INNOViON的技術平臺都是同類產(chǎn)品中最好的，并且是對我們市場領先的SiC襯底、我們在全球的大規(guī)模晶圓制造工廠，以及我們最近從GE公司獲得許可的SiC器件技術的完美補充。我們將繼續(xù)使用先進的材料和組件為現(xiàn)有客戶提供服務，同時我們將結合這些功能，打造世界上最先進的內(nèi)部垂直集成的150nm SiC技術平臺之一。”

  作為其垂直整合戰(zhàn)略的一部分，II-VI正利用其廣泛的工程材料和光電器件技術以及其在全球的制造能力，通過開發(fā)高性能化合物半導體器件，來擴大規(guī)模和實現(xiàn)創(chuàng)新。