臺(tái)積電魏哲家：2nm將采用nanosheet工藝，2025年量產(chǎn)

  ICC訊  據(jù)臺(tái)媒消息，臺(tái)積電技術(shù)論壇昨日開幕，臺(tái)積電總裁魏哲家發(fā)表演講表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷三大改變。

  一是單靠電晶體無法滿足需求，需要三維集成電路(3D IC)先進(jìn)封裝技術(shù)提升芯片效能;二是使用端導(dǎo)入半導(dǎo)體元件含量將持續(xù)增加，并帶動(dòng)成熟工藝需求增長(zhǎng);三是全球化轉(zhuǎn)向地區(qū)化，供應(yīng)鏈管理愈加重要。

  魏哲家舉例，一臺(tái)汽車售價(jià)5萬美元，僅僅因?yàn)槿狈σ粋€(gè)5美分的車用收音機(jī)芯片就無法出貨，凸顯出供應(yīng)鏈管理的重要性。

  臺(tái)積電的對(duì)策，一是加速擴(kuò)充前端晶圓和后端封測(cè)產(chǎn)能，其中在美國(guó)亞利桑那州、日本熊本縣和臺(tái)灣省高雄市的新廠將在2024年同步完工量產(chǎn)。位于臺(tái)灣省的封裝廠也將持續(xù)擴(kuò)建。

  二是改變工藝。魏哲家表示，3nm確定在下半年量產(chǎn)，但當(dāng)初采用哪種工藝，考慮了很久，最終決定繼續(xù)使用FinFET。到2nm則采用全新的nanosheet工藝，將于2025年量產(chǎn)。