硅光已至！SiFotonics清華大學(xué)宣講 共聊硅光前景

　　Iccsz訊  硅光子技術(shù)的創(chuàng)業(yè)先鋒、領(lǐng)軍企業(yè)之一SiFotonics Technologies將走進(jìn)清華大學(xué)電子工程系，屆時(shí)SiFotonics CEO潘棟博士及清華校友代表將與您面對面互動交流，與您分享SiFotonics硅光子技術(shù)的前世、今生和未來。

        時(shí)間：2016年10月31日 14:00-15:00pm

　　地點(diǎn)：清華大學(xué)羅姆樓8-208會議室

CIOE2016上的SiFotoncis（右二為CEO潘棟博士）

　　潘棟博士介紹，“SiFotonics進(jìn)入硅光領(lǐng)域比較早，起初接觸到硅光時(shí)，感覺到硅光是長期而且有發(fā)展前景的，一開始先把鍺硅器件做好，然后再慢慢走向集成。如今經(jīng)過近十年的努力和積累、數(shù)代產(chǎn)品的更迭，SiFotonics的鍺硅PD/APD芯片已在性能、量產(chǎn)能力、可靠性等方面得到足夠的市場檢驗(yàn)，目前各類產(chǎn)品已累計(jì)出貨近100萬顆，并開始推出硅光集成芯片如ICR。”

　　SiFotonics Technologies成立于2006年底，目前投資額近5000萬美元，公司在波士頓、北京、上海分別設(shè)立了研發(fā)中心，現(xiàn)有員工約100余人。核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)匯集了來自MIT、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)的多名業(yè)界精英，投身于硅基光電產(chǎn)品前沿技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用。

　　2015年底，SiFotonics Technologies在硅光領(lǐng)域中取得了決定性的突破：SiFotonics研發(fā)的正面入射型25G高速鍺硅雪崩二極管 (APD), 在1310nm靈敏度達(dá)到了-22.5dBm (BER=1E-12)， 為所有探測器件中的最高性能，這是硅光有源芯片里程碑式的進(jìn)展：單個(gè)器件的性能超越傳統(tǒng)材料。

        誠邀光通訊精英 共推硅光美好未來

　　SiFotonics誠邀勇于創(chuàng)新、敢為人先、渴望施展才華的精英加盟，一起創(chuàng)造硅基光通訊產(chǎn)業(yè)美好未來!

　　多個(gè)核心研發(fā)職位開放，現(xiàn)場接收簡歷。更多職位信息請關(guān)注微信公眾平臺或SiFotoncis官網(wǎng)。

        公司網(wǎng)址：www.sifotonics.com