三星電子展示3D晶圓封裝技術 可用于5納米和7納米制程

  ICC訊 8月14日消息，據臺灣媒體報道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。

圖片來自三星電子官方

  三星的3D IC封裝技術X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協助解決次世代應用嚴苛的表現需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動和穿戴設備等。

  三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術，確保TSV在先進的極紫外光(EUV)制程節(jié)點時，也能穩(wěn)定聯通。

  三星稱，X-Cube可用于5納米和7納米制程。有了X-Cube技術，IC設計師打造符合自身需求的定制化解決方案時，將有更多靈活性。