敏芯半導體推出SLD及SOA芯片樣品

  近日，敏芯半導體陸續(xù)推出了多款芯片，進一步豐富了產(chǎn)品矩陣。其中，超輻射發(fā)光二極管(Superluminescent Emitting Diode, SLD)可用于光纖陀螺、光學相干層析成像(OCT)和光纖通信等領域;半導體光放大器(SOA)可作為前置放大和線路放大應用于數(shù)據(jù)中心與WDM網(wǎng)絡中，該芯片采用InGaAsP/InP多量子阱結構設計和掩埋異質(zhì)結結構(Buried Heterostructure)工藝，輸入/輸出端面上均鍍有抗反膜。

  1310nm大功率低偏SLD

  超輻射發(fā)光二極管是一種自發(fā)輻射光放大(Amplifier Spontaneous Emission, ASE)芯片，其光電特性介于激光器與LED之間，兼具激光器的高出光功率以及LED的寬光譜特性，在光纖陀螺、光學相干層析成像技術(Optical Coherent Tomography, OCT)以及光纖通信等領域有著廣泛的應用。

  敏芯半導體推出的1310nm大功率低偏SLD芯片S0031L3-C02，工作溫度25℃，工作電流100mA，中心波長1310nm±20nm，光譜寬度>40nm，ripple<0.2dB，偏振消光比<1dB，出纖功率>2mW。

  下圖(a)為SLD典型的功率曲線，圖(b)為其典型光譜，光譜寬度(FWHM)可超過40nm。

       1310nm SOA半導體激光器芯片

  敏芯半導體近日發(fā)布的1310nm SOA半導體激光器芯片，是一款高增益、高飽和輸出功率、低噪聲指數(shù)NF和低偏振相關特性的半導體光放大器芯片。光放大增益大于16dB，典型飽和輸出光功率在7dBm，ASE譜寬大于45nm，可應用于光網(wǎng)絡中作為前置放大和線路放大。

  目前國內(nèi)外數(shù)據(jù)中心運營商都在快速構建自己的數(shù)據(jù)中心，為了提升傳輸速率，近年來各數(shù)據(jù)中心運營商在數(shù)據(jù)中心建設上投入巨大，數(shù)據(jù)中心的大型化趨勢導致傳輸距離需求的提升，對光模塊探測器靈敏度要求提高，SOA作為對光信號進行放大的半導體元器件，放置于探測器前，能夠補償光信號在傳輸過程中的損耗。

  敏芯半導體芯片研發(fā)部總監(jiān)周志強博士表示，高功率SLD芯片是公司在光傳感領域的一次有益探索，有助于國內(nèi)光纖陀螺客戶解決芯片短缺難題。同時SLD和SOA芯片的推出也豐富了公司的產(chǎn)品種類，可以為客戶提供更多的方案選擇及更好的服務。