三星計劃2021年建成第三所綜合性半導體工廠

  ICC訊  據(jù)韓國媒體ETNEWS報道，三星電子計劃新建一家大型半導體工廠。鑒于面積比上一個增加了 50% 以上，因此，它采用“綜合半導體工廠”的形式，同時生產(chǎn) DRAM、NAND 閃存和其他器件，并有望引入最新的工藝技術。據(jù)悉，“P3”計劃于今年9月在平澤動工，于2021年完成。

  ▲ 三星電子平澤工業(yè)區(qū)航空攝影 圖源：三星電子官網(wǎng)

  據(jù)了解，三星電子此前在平澤已有名為“P1”和“P2”的半導體工廠，其中“P2”于去年完工。

  據(jù)業(yè)內(nèi)人士21日透露，三星電子正準備在平澤建設一所更大的的半導體工廠“P3”，預計今年9月動工。目前三星電子對于該廠的建設已經(jīng)做了大量前期準備。

  目前三星最大的半導體工廠“P2”長度為400米，據(jù)報道“P3”的長度將達到700米?！癙3”預計將在明年8月前后完成，并在生產(chǎn)線調(diào)試完成后試生產(chǎn)，從2021年底開始量產(chǎn)最新工藝的芯片，包括生產(chǎn)圖像傳感器、DRAM、NAND 和SoC處理器等半導體器件。

  報道稱，三星電子的目標是在2030年成為非內(nèi)存半導體市場的領頭者。