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臺(tái)積電發(fā)布產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖 預(yù)計(jì)2030年邁入1nm時(shí)代

摘要:臺(tái)積電日前在2023年IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議上,發(fā)布進(jìn)軍至1nm制程的產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖。

  ICC訊 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》28日訊,臺(tái)積電日前在2023年IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議上,發(fā)布進(jìn)軍至1nm制程的產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖。預(yù)計(jì)到2030年,在3D封裝內(nèi)提供超過1兆個(gè)晶體管,且公司正在開發(fā)在單體式(monolithic)架構(gòu)包含2000億個(gè)晶體管的芯片。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),該公司重申正在致力于發(fā)展2nm級(jí)N2和N2P生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)、1.4nm級(jí)A14和1nm級(jí)A10制造工藝,預(yù)計(jì)將于2030年完成。

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