ICC訊 近日,高密度光電集成和光通信技術(shù)解決方案供應(yīng)商—深圳市深光谷科技有限公司(簡稱:深光谷科技),取得玻璃通孔光電轉(zhuǎn)接(TGV Interposer)技術(shù)重要突破。深光谷科技聯(lián)合上海交通大學(xué)和深圳大學(xué),合作開發(fā)了晶圓級TGV光電interposer工藝,實現(xiàn)了國產(chǎn)首個8英寸晶圓級TGV interposer加工,實測帶寬達(dá)到110GHz,可以面向2.5D和3D光電集成封裝應(yīng)用,為VCSEL、DML、EML、硅光、鈮酸鋰等技術(shù)路線的光模塊產(chǎn)品提供高速、高密度、高可靠性和低成本的光電共封裝(CPO)解決方案。
圖片1-TGV晶圓和interposer芯片
玻璃基先進(jìn)封裝技術(shù)近年來受到高度關(guān)注,在集成無源器件(IPD)、微顯示、AR/VR等領(lǐng)域具有突出應(yīng)用優(yōu)勢。玻璃具有天然友好的光學(xué)性質(zhì),采用激光誘導(dǎo)刻蝕可以實現(xiàn)高深寬比的玻璃通孔加工,并且能夠支持大尺寸晶圓級和面板級加工,其穩(wěn)定的光電性質(zhì)也帶來了高可靠性的優(yōu)點。2023年9月18日,英特爾推出了玻璃基板封裝的最先進(jìn)處理器,計劃于2026~2030年量產(chǎn),基于玻璃基板設(shè)計的共同封裝光學(xué)元件技術(shù)(CPO)也將在數(shù)據(jù)中心、人工智能和圖形構(gòu)建等場景帶來顛覆性應(yīng)用。
深光谷科技所開發(fā)的TGV光電interposer采用激光誘導(dǎo)刻蝕結(jié)合多層重布線(RDL)工藝,通孔深寬比4:1,基板厚度230um,表面平整度1.2um,支持2+1層RDL,挖槽深度60um,支持光纖陣列的耦合對準(zhǔn),支持電芯片flipchip封裝,支持EML/SOA/硅光/鈮酸鋰等光芯片植球倒裝,實測通孔和RDL布線帶寬超過110GHz。
圖片2:通孔電鏡結(jié)構(gòu)、RDL結(jié)構(gòu)、interposer芯片、S21曲線
深光谷科技專注于光傳輸和光互連的高密度光電集成芯片、光連接器和光纖鏈路技術(shù),玻璃基光電轉(zhuǎn)接技術(shù)(TGV Interposer)將進(jìn)一步與深光谷高密度空分復(fù)用技術(shù)結(jié)合,在玻璃激光直寫光連接器、空分復(fù)用技術(shù)扇入扇出器件等方面形成對接,從而發(fā)揮出全鏈路高密度的優(yōu)勢,支撐數(shù)據(jù)中心、算力集群、大容量傳輸?shù)阮I(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
深光谷科技是由國家級高層次人才團(tuán)隊創(chuàng)立的,專注于高速光通信技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用的國家高新技術(shù)企業(yè)。核心團(tuán)隊成員具有新加坡南洋理工大學(xué)、香港科技大學(xué)、美國哈佛大學(xué)、英國劍橋大學(xué)等國(境)外知名高校的留學(xué)經(jīng)歷,在納米光子器件設(shè)計與開發(fā)、光通信、光學(xué)傳感與成像等領(lǐng)域的研究處于世界領(lǐng)先水平。公司致力于開發(fā)面向AI算力集群、數(shù)據(jù)中心、5G通信、星鏈的高密度、低功耗、大容量光通信技術(shù),以自研光電共封裝interposer芯片和空分復(fù)用光芯片為核心,利用前沿的納米光子學(xué)技術(shù),結(jié)合人工智能、深度學(xué)習(xí)等新型光器件設(shè)計方案,為大模型人工智能及5G+時代急劇增長的數(shù)據(jù)通信容量需求提供最先進(jìn)解決方案。核心技術(shù)包括空分復(fù)用光通信技術(shù)、共封裝(CPO)光電集成互連、衛(wèi)星激光通信等,核心產(chǎn)品有模式復(fù)用光芯片和器件、多芯光纖扇入扇出芯片和器件、CPO光電集成互連interposer芯片、衛(wèi)星激光通信收發(fā)芯片等,擁有數(shù)十項國家發(fā)明專利。成果獲得中國專利優(yōu)秀獎、中國光學(xué)十大進(jìn)展、教育部自然科學(xué)獎等。
深光谷科技立足于當(dāng)下,著眼于未來,利用其自身的尖端技術(shù)平臺,結(jié)合人工智能、深度學(xué)習(xí)等新型光器件設(shè)計方案,為大算力時代急劇增長的數(shù)據(jù)通信容量需求提供領(lǐng)先的光互連解決方案。
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