北京中科院半導(dǎo)體所研制成功紫外半導(dǎo)體激光器

北京中科院半導(dǎo)體研究所利用現(xiàn)有的Thomas Swan MOCVD設(shè)備生長(zhǎng)制作出了世界領(lǐng)先的近紫外波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器。   

中科院半導(dǎo)體所在2年前購(gòu)進(jìn)安裝并調(diào)試出了此套設(shè)備，該套設(shè)備主要用于GaN器件的生長(zhǎng)研究。經(jīng)過2年多時(shí)間的不斷試驗(yàn)和制作，在集成光電子國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室楊輝教授的帶領(lǐng)和陳良惠教授帶領(lǐng)的另外一個(gè)組的配合下，他們成功開發(fā)了國(guó)內(nèi)第一個(gè)近紫外光的半導(dǎo)體激光器。這種激光器采用5周期InGaN/GaN 多量子阱結(jié)構(gòu)作為有源層，AlGaN/GaN超晶格作為包層，光波長(zhǎng)為410nm。
 

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