三星宣布量產10 納米級LPDDR5 DRAM 芯片

  ICC訊 隨著全球芯片制程技術持續(xù)進化，南韓科技巨頭三星電子(Samsung Electronics) 宣布，已經開始量產使用極紫外光(EUV) 光刻技術制造的第三代10 納米級LPDDR5 DRAM 芯片，領先于業(yè)界，未來DRAM 制程也將有望朝向個位數納米制程前進。

  三星電子宣布，該公司位于南韓平澤市的第二條半導體生產線，已經開始量產領先于全球的第三代10 納米級LPDDR5 DRAM 芯片，達到業(yè)界內最大的容量和最快的速度。

  三星電子最新的10 納米級LPDDR5 DRAM 芯片，傳輸運行速度高達6400Mb/s，較目前市場上旗艦版智慧型手機的12 GB LPDDR5 DRAM 芯片快上16%。該公司也指出，配備16 GB 記憶體的智慧型手機將可以每秒傳送51.2 GB 的數據，相當于10 部高畫質電影。

  此外，最新的10 納米級LPDDR5 DRAM 芯片也比先前的產品薄30%，將有助于為配備多項零組件的產品，如高階相機手機或5G 手機，以及有厚度考量的產品，如可折疊式手機，提供最佳解決方案。

  報導指出，在今年2 月份，三星電子便已經開始使用第二代10 納米級工藝制程技術量產16GB LPDDR5 DRAM。在短短六個月內，該公司更進一步加強了高階行動DRAM 產品組合，包括導入新一代芯片制程技術。

  在DRAM 領域中，南韓SK 海力士排名全球第二，市占率僅次于三星電子。如今，SK 海力士也正積極研發(fā)將EUV 技術應用于第四代10 納米級產品，并計畫于2021 年實現量產，與三星電子相比，SK 海力士大約落后了六個月到一年的時間。