CIOE 2021 | 長(zhǎng)瑞光電亮相50G PAM4 VCSEL，IDM模式保障市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力

  ICC訊9月16-18日，CIOE 2021期間，蘇州長(zhǎng)瑞光電有限公司隆重展示其25Gb/s-NRZ和50Gb/s-PAM4在內(nèi)的850nm砷化鎵基高速多模 VCSEL芯片產(chǎn)品，獲得業(yè)界客戶和現(xiàn)場(chǎng)觀眾廣泛關(guān)注。

長(zhǎng)瑞光博會(huì)展臺(tái)交流情況

長(zhǎng)瑞Wafer、25G NRZ VCSEL、50G PAM4 VCSEL展品展示情況

  展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，公司50G PAM4 VCSEL項(xiàng)目負(fù)責(zé)人高逸群向訊石介紹，長(zhǎng)瑞光電主要從事III-V族半導(dǎo)體激光器芯片的研發(fā)和制造，擁有自主的晶圓到流片的生產(chǎn)線，完整的光學(xué)性能以及可靠性測(cè)試能力。產(chǎn)品主要應(yīng)用于高速光通信與消費(fèi)類電子產(chǎn)品，目前擁有近員工近120余人，研發(fā)團(tuán)隊(duì)達(dá)40%。

  本次展出的25G NRZ和50G PAM4 VCSEL具有優(yōu)秀的產(chǎn)品性能和可靠性表現(xiàn)，這得益于長(zhǎng)瑞的IDM模式。同時(shí)，在國(guó)內(nèi)知名光模塊公司的支持下，長(zhǎng)瑞光電的高速VCSEL光芯片在可靠性測(cè)試、性能驗(yàn)證和市場(chǎng)反饋方面，相比于同類企業(yè)具有更高的反饋效率，能夠加速產(chǎn)品迭代，推動(dòng)品質(zhì)升級(jí)。

  作為IDM模式的光芯片領(lǐng)軍企業(yè)，長(zhǎng)瑞光電不僅完全實(shí)現(xiàn)了全產(chǎn)業(yè)鏈的自主化供應(yīng)，而且在芯片測(cè)試與分析方面具有一流的設(shè)備與人才團(tuán)隊(duì)。公司此次參展的50G PAM4產(chǎn)品目前已具備量產(chǎn)能力，正在接受各主要客戶全面的驗(yàn)證測(cè)試。

  展會(huì)期間，長(zhǎng)瑞光電“面向100G光通信模塊應(yīng)用的4*25G VCSEL陣列芯片”項(xiàng)目榮獲“中國(guó)光電博覽獎(jiǎng)優(yōu)秀獎(jiǎng)”，得到了行業(yè)專家的認(rèn)可。

  長(zhǎng)瑞光電相信，一致性的外延材料、全面的分析試驗(yàn)以及充分的老化可靠性驗(yàn)證將為25G/50G VCSEL光芯片產(chǎn)品提供強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，滿足高速光模塊嚴(yán)苛的品質(zhì)和可靠性要求，助力客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品快速交付。