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仕佳光子:50G PON芯片創(chuàng)新突破 助力光網(wǎng)絡(luò)飛躍發(fā)展

摘要:仕佳光子推出50G PON用1286nm DFB激光器芯片,具備高帶寬、大功率,滿足Class C+/N1 a選項(xiàng)。針對(duì)ITU標(biāo)準(zhǔn)C+ b選項(xiàng),通過(guò)EML+SOA芯片提升光功率,已實(shí)現(xiàn)50G 1342nm EML+SOA、100G PAM4 EML樣品。

  ICC訊 近日,國(guó)內(nèi)先進(jìn)的光芯片與器件解決方案提供商——河南仕佳光子科技股份有限公司推出應(yīng)用于50G PON的1286nm DFB激光器芯片。仕佳光子開(kāi)發(fā)出的該款芯片具有高帶寬、大發(fā)射功率的特點(diǎn),能滿足對(duì)稱50G PON的ONU端應(yīng)用要求(Class C+/N1的 a選項(xiàng))。 據(jù)了解,該款芯片借助了仕佳光子成熟的DFB激光器IDM平臺(tái)(DFB芯片出貨數(shù)量已超過(guò)1億顆),通過(guò)外延/光柵的特殊設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了基于DFB芯片的大功率和高帶寬的平衡。

  針對(duì)ITU標(biāo)準(zhǔn)C+的b選項(xiàng),芯片的光功率需增加1dB。仕佳光子通過(guò)仿真,采用EML+SOA芯片可以實(shí)現(xiàn)光功率的提升,達(dá)成b選項(xiàng)指標(biāo)。后續(xù)可以借助EML+SOA平臺(tái),完成高功率版本1286nm 芯片的研發(fā)、制備。據(jù)悉,仕佳光子的EML+SOA的平臺(tái)能力也已經(jīng)建設(shè)完成,已實(shí)現(xiàn)50G 1342nm EML+SOA、100G PAM4 EML等樣品開(kāi)發(fā)。

內(nèi)容來(lái)自:仕佳光子
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