美國科學家將多重量子阱(multi-quantum well, MQW)納米線激光器的芯及外殼個別優(yōu)化,結果讓控制性及可調性達到前所未有的水平。這種微型光源能發(fā)出波長介于365及494 nm的激光,亦即波長可調范圍超過100 nm。
哈佛大學的Charles Lieber指出,該小組制作出第一個圍繞納米線芯的同心MQWs,這些MQW不但創(chuàng)下結構復雜度的新高,而且讓科學家得以分別研究納米線激光器的兩大要素:共振腔與增益介質。該小組認為這是朝獨立(free-standing)注入型納米激光器發(fā)展的第一步。
納米線激光器并非新概念,但先前的研究都著重于均質(homogeneous)的半導體,如氮化鎵(GaN),這表示激光器的波長取決于材料的能隙,所以無法設計與調整激光器特性。Lieber團隊所制備的激光器則以GaN納米線芯為共振腔,InGaN/GaN組成的MQW外殼作為成份可調的增益介質。在室溫下操作,只要改變銦的摻雜量,可使組件發(fā)光波長從365 nm調至494 nm。
Lieber表示,將增益介質與共振腔分開研究的目的,是為了找到兩個獨立參數(shù)的最好結構效率。MQW納米線異質結構(heterostructures)包含3到26個量子阱,納米線直徑寬約200到400 nm,長度約20到60 μm,并以波長266 nm的Q開關摻釹釩酸釔(Nd:YVO4)激光器加以激發(fā)。
Lieber團隊目前朝多個方向研究,首先他們希望生長更小的芯或增加披覆層,來降低激光器的閥值。由于增益介質與共振模態(tài)間的耦合率較好,所以量子阱層數(shù)越多,激光器閾值就越低。Lieber認為在最佳的共振腔結構下,只要數(shù)個量子阱就能夠達成激光器。另外,他們也將研究電激發(fā)的可行性,例如嘗試在單一個納米線中結合MQW與摻質調制,以獲得注入型納米激光器。
Lieber表示,長遠的目標應該是電激發(fā)、多波長、低閥值的納米激光器數(shù)組,而它們在異質積體光電芯片中的應用將是可預期的。詳見Nature Materials doi:10.1038/nmat2253。