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IBM要將1Tbit秒的光收發(fā)器集成于2mm見方芯片

摘要:光通信技術用于處理器芯片間及處理器內核間數(shù)據(jù)傳輸?shù)目赡苄源鬄樘岣摺_@是因為美國IBM開發(fā)出了以CMOS技術將光收發(fā)回路和電路集成于1枚芯片的技術“CMOS Integrated Silicon Nanophotonics”。
  光通信技術用于處理器芯片間及處理器內核間數(shù)據(jù)傳輸?shù)目赡苄源鬄樘岣?。這是因為美國IBM開發(fā)出了以CMOS技術將光收發(fā)回路和電路集成于1枚芯片的技術“CMOS Integrated Silicon Nanophotonics”。IBM此次還公布了該技術投入使用的目標時間。該公司稱,將把該技術應用在定于2017~2018年開發(fā)的浮動小數(shù)點運算性能達1018FLOPS(Exa FLOPS)超級計算機(Exa機)處理器。

  
                         IBM計劃2017~2018年開發(fā)的新一代微處理器的圖片。(圖由IBM提供)
       如果得以實現(xiàn),則除處理器內核內部之外的數(shù)據(jù)傳輸用布線便可以用光通信技術封裝。這不僅對超級計算機,而且對多種電子設備的意義都很重大。

以WDM技術大幅削減布線數(shù)量

  IBM認為,要實現(xiàn)運算性能為目前最快的超級計算機約1000倍的Exa機,處理器芯片間及處理器內核間的數(shù)據(jù)通信實現(xiàn)光化是不可避免的。“人類的大腦也因相當于處理器的灰白質和相當于通信網(wǎng)絡的白質兩者兼?zhèn)洳诺靡杂行Чぷ鞯摹H绻踪|的數(shù)據(jù)傳輸速度低,那么好不容易得到的灰白質就不能發(fā)揮作用” (IBM硅整合納米光子項目主管Yurii A. Vlasov)。IBM指出,不用電而使用光的最大原因在于:通過應用光通信領域的WDM(波分復用)技術能夠大幅減少物理布線數(shù)量。 

  IBM設想的Exa機的處理器是將集成于硅芯片上的處理器內核、存儲器和光通信網(wǎng)絡三維層疊,并用TSV(硅貫通電極)連接起來的(上圖)。構成數(shù)據(jù)傳輸路徑的基本要素技術,與現(xiàn)在數(shù)據(jù)中心等使用的單位通道10Gbit/秒的光通信網(wǎng)絡沒有太大差別(圖1)。 


圖1:將大容量光通信集成于1枚芯片 

(a)為IBM芯片上光通信網(wǎng)絡的構成。處理器內核間的數(shù)據(jù)利用Si芯片上的光通信網(wǎng)絡傳輸。(b~e)為將光通信的各功能集成在Si芯片上的實例。WDM相當于“高速公路的入口”。

  然而,巨大的差異在于集成度要高出幾個數(shù)量級。要將原來以100m為單位的光通信網(wǎng)絡縮小到1mm左右,即原來的10萬分之一左右的尺寸,并與驅動電路等所需電路一起集成于Si芯片上。

突破混載的最大難關

  IBM從2006年前后就已開始利用CMOS工藝開發(fā)要素技術。比如:光的延遲回路、調制器、開關及以高感度高速工作的受光器等。此次的目標是用CMOS工藝將這些要素技術與電路混載(圖2)。 


圖2:可利用CMOS工藝制造各種光元件
圖中所示為IBM開發(fā)的工藝概要。IBM稱,光通信所需要的各種功能以標準CMOS工藝或對其加以部分調整實現(xiàn)。尤其是通過在源極/漏極激活前形成受光器,能夠簡化工藝并大幅縮小芯片面積。

  最重要的一點是使受光器的形成在CMOS晶體管的源極/漏極激活,即燒結處理前完成。受光器是采用鍺(Ge)的APD(avalanche photodetector)。原來由于Ge的融點比較低,僅為約937℃,只能在CMOS晶體管的源極/漏極激活后形成受光器。IBM通過改變Ge APD的制造方法等,使在源極/漏極激活前就能夠形成Ge APD。

  由此,“使用的掩模在光路和電路上幾乎可通用,制造工藝本身得到了大幅簡化”(IBM的Vlasov)。

課題是向量產(chǎn)技術的過渡

  IBM采用此次的CMOS工藝,試制了發(fā)送端的驅動電路、調制器和WDM,以及接收端的WDM、受光器和增幅電路等各種集成于硅芯片上的元器件(圖3)。電路的集成采用了130nm工藝技術,光路的集成部分采用了65nm工藝技術。 


圖3:以單位通道0.5mm2的面積實現(xiàn)20Gbit/秒的收發(fā)元件
IBM最新的光電路混載芯片示例。(a)為光調制器與其驅動電路、WDM發(fā)送器集成于1枚芯片。(b)為WDM接收器、受光器及增幅電路集成于1枚芯片。收發(fā)元件合計面積為3.1mm2。單位通道以約0.5mm2的面積實現(xiàn)。

  單位通道的傳輸速度為20Gbit/秒,單位通道的占用面積僅占整個光收發(fā)器的約0.5mm2。IBM稱“占用面積為競爭對手的1/10以下”。IBM表示,現(xiàn)在的目標是進一步提高集成度,以實際4mm2左右的芯片面積實現(xiàn)相當于數(shù)據(jù)傳輸容量1Tbit/秒的光收發(fā)器。

  剩下的課題是將開發(fā)的技術應用于量產(chǎn)工藝。IBM自信地表示:“在今后幾年內實現(xiàn)當然并不容易,但迄今我們已解決了多種課題”(Vl asov )。
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