SiFotonics 推出100G/200G全集成相干發(fā)射接收芯片

　　ICCSZ訊   硅光領(lǐng)軍企業(yè)之一SiFotonics Technologies宣布成功開發(fā)100G/200G全集成相干發(fā)射接收機(jī)一體芯片TR4Q11，為Metro客戶應(yīng)用提供更加小型、更低成本、更高集成度的解決方案。

　　2015年底，SiFotonics曾推出100G全集成相干接收機(jī)芯片CR4Q01。值此一年之際，SiFotonics集成芯片團(tuán)隊(duì)再次成功開發(fā)出100G/200G全集成相干發(fā)射接收芯片。此產(chǎn)品符合OIF正在制定中的IC-TROSA應(yīng)用協(xié)議，并能夠兼容支持100G DP-QPSK 和200G DP-16QAM系統(tǒng)傳輸。

　　TR4Q11單片集成了一系列由SiFotonics獨(dú)創(chuàng)的光纖波導(dǎo)耦合器、偏振旋轉(zhuǎn)分束/合束器、90°混頻器、8個(gè)40GHz Ge/Si波導(dǎo)型光探測(cè)器陣列、8個(gè)25GHz IQ調(diào)制器、可調(diào)光衰減器及MPD等，共計(jì)多達(dá)60多個(gè)有源和無源光波導(dǎo)元件被集成到面積僅為6.45×7.7 mm²的光芯片中，是目前報(bào)道的最高集成度的光集成芯片之一。高集成度不僅僅帶來封裝尺寸減小，更重要的是通過高度集成技術(shù)大幅降低光器件封裝復(fù)雜度、封裝時(shí)間和封裝成本，從根本上突破光器件一直以來的封裝成本過高的局限。

　　圖： (左)100G/200G全集成相干發(fā)射接收芯片;(右)發(fā)射機(jī)星座圖

　　SiFotonics負(fù)責(zé)硅光子芯片工藝開發(fā)的資深總監(jiān)洪菁吟博士提到：“盡管用于制造IC芯片的CMOS工藝已經(jīng)非常先進(jìn)和成熟，然而將其用于制造硅光集成芯片卻并不是那么容易——這花費(fèi)了我們近十年的時(shí)間，解決了數(shù)不清的工藝和設(shè)計(jì)難題。最終我們開發(fā)出了適用于硅光集成器件制造的CMOS工藝，開始硅光芯片的大批量生產(chǎn)，先是單個(gè)探測(cè)器與探測(cè)器陣列芯片, 然后是全集成收發(fā)芯片。”

　　SiFotonics CEO潘棟博士補(bǔ)充道：“盡管從事光電器件的開發(fā)已有20余年, 還是第一次看到如此高集成度的光芯片, 連同我們前些日子報(bào)道的業(yè)界最高性能25G APD 芯片, 硅光時(shí)代已經(jīng)來到。在銷售市場(chǎng)上我們的新產(chǎn)品海內(nèi)外訂單旺盛, 擴(kuò)產(chǎn)壓力增大, 內(nèi)部對(duì)各方面人才的需求也與日俱增，特別是高端100G和相干器件的設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試等方面。我們一路走來，相信碩果已不遙遠(yuǎn)。”

　　關(guān)于SiFotonics：

　　SiFotonics Technologies致力于成為硅光子器件與集成技術(shù)的開創(chuàng)者與領(lǐng)導(dǎo)者，為客戶提供下一代高速通訊解決方案。自2006年以來，公司一直致力于建立硅光子技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位。通過與CMOS Foundry合作開發(fā)專屬硅光產(chǎn)線, SiFotonics已實(shí)現(xiàn)鍺硅光電探測(cè)器(Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測(cè)器(Ge/Si APD)等產(chǎn)品的量產(chǎn)化，目前該產(chǎn)線已完成硅光子集成技術(shù)的相關(guān)工藝開發(fā)，且100G/400G全集成相干接收芯片已準(zhǔn)備量產(chǎn)。