Neophotonics硅光400G數(shù)據(jù)中心收發(fā)器用30-40mW CW激光源全面上市

  ICCSZ訊（編譯：Nina）NeoPhotonics宣布其非密封30-40 mW DFB激光光源全面上市(GA)。該激光光源是用于每波長(zhǎng)100G的硅光CWDM4 FR4以及1310 nm DR1和DR4收發(fā)器。這些激光器可帶或不帶集成光點(diǎn)尺寸轉(zhuǎn)換器(SSC)。

  NeoPhotonics低損耗SSC技術(shù)可將磷化銦激光器直接連接至硅光波導(dǎo)，從而提高了制造可擴(kuò)展性并降低了成本。這些高效、高功率的DFB激光器可在高達(dá)75攝氏度的溫度下運(yùn)行，并符合Telcordia GR-468-CORE的要求，使其非常適用于非密封式硅光小型可插拔模塊，例如400G QSFP-DD。

  硅光子光子集成電路可以在單個(gè)芯片上組合四個(gè)不同的高速調(diào)制器，但是它需要對(duì)光源進(jìn)行調(diào)制。必須在硅光芯片上耦合一個(gè)單獨(dú)的激光器或激光器陣列，該激光器或激光器陣列可以在指定的波長(zhǎng)上產(chǎn)生足夠的光功率，以克服硅調(diào)制器和波導(dǎo)中的損耗。NeoPhotonics高功率DFB激光器系列能有效地耦合到SiPho調(diào)制器芯片，并且不需要密封封裝，使其成為下一代收發(fā)器模塊的理想選擇。

  高速硅光調(diào)制器芯片由于其較高的“ Vpi”，通常需要具有大電壓擺幅的驅(qū)動(dòng)器放大器，而該放大器也由NeoPhotonics提供?；?A href="http://odinmetals.com/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=NeoPhotonics&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">NeoPhotonics砷化鎵的四驅(qū)動(dòng)器芯片在單個(gè)緊湊的低功耗芯片中結(jié)合了四個(gè)獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)器，旨在支持緊湊的可插拔模塊，例如OSFP和QSFP-DD。