重磅！中芯國(guó)際擠走臺(tái)積電，拿下華為海思14nm代工大單

  ICCSZ訊 面臨美國(guó)在芯片領(lǐng)域“卡脖子”，中國(guó)企業(yè)繼續(xù)布局。關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》13日?qǐng)?bào)道稱，中國(guó)大陸芯片代工廠商中芯國(guó)際擊敗臺(tái)積電，奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝芯片代工訂單。

  截圖：《電子時(shí)報(bào)》

  此前，海思的14納米訂單主要交給臺(tái)積電在南京的12寸晶圓廠生產(chǎn)線完成。該廠投資30億美元，2018年底投入運(yùn)營(yíng)，規(guī)劃月產(chǎn)能2萬(wàn)片。

  據(jù)“中國(guó)閃存市場(chǎng)”網(wǎng)站報(bào)道，中芯國(guó)際從2015年開始研發(fā)14納米，目前良品率已經(jīng)達(dá)到95%。業(yè)內(nèi)人士13日透露，海思已經(jīng)下單中芯國(guó)際新出爐的14納米工藝，從臺(tái)積電南京廠手中搶下了訂單。

  1月9日，中芯國(guó)際網(wǎng)站轉(zhuǎn)載《浦東時(shí)報(bào)》文章作為“官宣”，透露其在上海浦東的中芯南方集成電路制造有限公司(中芯南方廠)，去年第三季度成功實(shí)現(xiàn)第一代14納米FinFET工藝量產(chǎn)。

  該廠擁有目前國(guó)內(nèi)首條14納米生產(chǎn)線，也是中國(guó)大陸芯片制造領(lǐng)域最先進(jìn)的生產(chǎn)基地。按規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后，這里將建成兩條月產(chǎn)能均為3.5萬(wàn)片的集成電路先進(jìn)生產(chǎn)線，并助力未來(lái)5G、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子等新興應(yīng)用的發(fā)展。

  位于浦東的中芯南方廠 圖自：中芯國(guó)際官網(wǎng)

  文章還提到，12納米技術(shù)也已開始客戶導(dǎo)入，下一代技術(shù)的研發(fā)也穩(wěn)步開展。中芯國(guó)際官方曾披露，12納米的工藝比14納米功耗降低20%、性能提升10%、錯(cuò)誤率降低20%。

  中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍對(duì)國(guó)內(nèi)芯片代工行業(yè)前景持樂(lè)觀看法，他表示，基于5G相關(guān)設(shè)備對(duì)芯片的需求，中國(guó)大陸芯片代工行業(yè)2020年將實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇。

  港媒報(bào)道，有業(yè)者認(rèn)為，臺(tái)積電無(wú)緣華為海思14納米代工大單與美國(guó)此前針對(duì)華為的禁令有關(guān)。

  去年12月有消息稱，美國(guó)計(jì)劃將禁令中“源自美國(guó)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)”從25%比重降至10%，以全力阻斷臺(tái)積電等非美企業(yè)向華為供貨。外媒報(bào)導(dǎo)指出，臺(tái)積電內(nèi)部評(píng)估，7納米源自美國(guó)技術(shù)比率不到10%，仍可繼續(xù)供貨，但14納米將受到限制。

  隨后，供應(yīng)鏈傳出消息稱，華為旗下主力芯片廠海思正加速將芯片產(chǎn)品轉(zhuǎn)進(jìn)至7納米和5納米先進(jìn)制程，14納米產(chǎn)品分散到中芯國(guó)際投片，避開美方牽制。

  今年年初，此前只向華為供應(yīng)芯片的海思半導(dǎo)體宣布向華為之外的企業(yè)供應(yīng)芯片。業(yè)內(nèi)認(rèn)為，基于扶植大陸晶圓代工廠的目標(biāo)，中芯國(guó)際今年勢(shì)必將擴(kuò)大國(guó)內(nèi)晶圓代工市場(chǎng)的市占率。

  彭博社稱，為應(yīng)對(duì)潛在風(fēng)險(xiǎn)，臺(tái)積電已聘請(qǐng)?jiān)谟⑻貭?intel)服務(wù)的前法律及政策集團(tuán)副總裁Peter Cleveland擔(dān)任副總裁，希望通過(guò)進(jìn)行政府游說(shuō)工作，來(lái)降低美國(guó)打壓華為的策略對(duì)臺(tái)積電的影響。

  此外，美國(guó)對(duì)華為的打壓使眾多美企遭受重創(chuàng)，高通(Qualcomm)、賽靈思(Xilinx)等科技公司都希望美國(guó)政府改變這一局面。