華為麒麟芯片或?qū)⒌谝淮巍跋聠巍敝行緡?guó)際

  ICCSZ訊 近期，外媒報(bào)道稱(chēng)，特朗普政府正在考慮改動(dòng)美國(guó)法規(guī)，阻止臺(tái)積電等公司向華為技術(shù)公司供應(yīng)芯片。有業(yè)內(nèi)人士指出，由于擔(dān)心美國(guó)擴(kuò)大禁令后，會(huì)面臨臺(tái)積電“斷供”風(fēng)險(xiǎn)。華為海思擴(kuò)大分散芯片制造來(lái)源，不斷增加對(duì)中芯國(guó)際的14nm和N+1制程技術(shù)的新流片New Tape-out(NTO)數(shù)量，包含華為手機(jī)中的核心麒麟Kirin芯片，也首度在中芯國(guó)際進(jìn)行NTP。

  目前有可能轉(zhuǎn)交中芯國(guó)際生產(chǎn)的手機(jī)端麒麟芯片是麒麟710處理器，不過(guò)中間也面臨著12nm工藝向14nm工藝過(guò)渡的問(wèn)題。

  中芯國(guó)際對(duì)于14nm工藝也十分上心，在疫情期間，中芯國(guó)際還在2月20日面向海外發(fā)行了6億美元的債券，超額認(rèn)購(gòu)11倍，獲得了大約42億元的融資，這些錢(qián)將用于擴(kuò)充公司產(chǎn)能等，生產(chǎn)線上的工作人員采取四班二輪的輪崗制度繼續(xù)生產(chǎn)。

  此前中芯國(guó)際曾經(jīng)像ASML訂購(gòu)了一臺(tái)EUV 機(jī)臺(tái)，目的是發(fā)展更先進(jìn)的新工藝，但ASML礙于“美方顧慮”，遲遲未能正式出貨的許可。不過(guò)中芯國(guó)際表示，N+1 和 N+2 制程都不需要用到 EUV 光刻機(jī)，會(huì)等到設(shè)備就緒后，才會(huì)在 N+2 導(dǎo)入 EUV 光刻技術(shù)，已經(jīng)盡量讓 EUV 機(jī)臺(tái)無(wú)法進(jìn)入研發(fā)的沖擊性降到最低。

  中芯國(guó)際在日前投資人會(huì)議上，也對(duì)外說(shuō)明第一、二代 FinFET 制程 14nm 和 N+1 的進(jìn)度。

  中芯國(guó)際 14nm 已開(kāi)始小量產(chǎn)出，但 真正營(yíng)收和產(chǎn)能放量會(huì)是在 2020 年底。在 2020 年，14nm 制程的產(chǎn)能將從 3000 片擴(kuò)大到年底 15000 片。

  在第二代 FinFET 制程 N+1 在 2019 年第四季進(jìn)入 NTO(New Tape-out)階段，目前正處于客戶產(chǎn)品認(rèn)證期，預(yù)計(jì) 2020 年第四季可以看到小量產(chǎn)出。

  業(yè)界一般認(rèn)為， N+1 約是 7nm 或 8nm 制程，因此會(huì)把中芯的 N+1 制程與臺(tái)積電的 7nm 相較。

  中芯國(guó)際則表示， N+1與7nm 制程十分接近，唯一不同是N+1的效能還不及7nm。不過(guò)，N+1 若與中芯自己的 14nm 相較，效能增加 20%、功耗減少 57%、邏輯面積減少 63%、SoC 面積減少 55%。