臺(tái)積電2nm工藝重大突破！

  ICC訊  一直以來臺(tái)積電在半導(dǎo)體領(lǐng)域都是處于全球領(lǐng)先水平，其5nm工藝制程的芯片已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)。現(xiàn)在據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破。

  據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。

  供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)，臺(tái)積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構(gòu)。

  據(jù)了解，臺(tái)積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)。現(xiàn)在在2nm工藝上有所突破也將在未來代工方面帶來優(yōu)勢。

  現(xiàn)在臺(tái)積電5nm工藝已經(jīng)獲得了蘋果的訂單，其它產(chǎn)能也被高通、ADM等廠商占用，如果2nm工藝量產(chǎn)，那么勢必比競爭對(duì)手快一大截，將會(huì)獲得更多的訂單。