我國半導體抗光腐蝕研究取得新進展

  ICC訊 記者近日從內(nèi)蒙古大學獲悉，該校王蕾研究員帶領(lǐng)的科研團隊在半導體抗光腐蝕研究方面取得新進展，得到國家自然科學基金等多個項目的認可支持。“鈍化層助力BiVO4抗光腐蝕研究”的相關(guān)成果已于近日在國際化學期刊《德國應用化學》發(fā)表，將有助于提高太陽能制氫的光電轉(zhuǎn)換效率。

  王蕾研究員介紹，新型潔凈能源氫能素來是新能源的研究熱點，光解水制氫是獲得氫能的主要技術(shù)之一，而太陽能制氫轉(zhuǎn)換效率是光解水主要性能指標。半導體較低的光吸收率和較高的載流子復合率是影響轉(zhuǎn)換效率的首要因素，因此，如何提高光電轉(zhuǎn)換效率是當前光電催化研究領(lǐng)域的重中之重。

  BiVO4半導體因具有2.4電子伏特的合適帶隙寬度、良好的光吸收性能以及適合的低電位下進行水氧化的導帶位置，成為太陽能光電催化制氫領(lǐng)域的重要材料之一。然而，BiVO4材料的電子與空穴相復合，嚴重影響了光生電荷傳輸，使其太陽能光電催化性能低于理論值；同時，也由于光腐蝕，使其無法適用長期光解水反應。通常的解決辦法是采用表面助催化劑修飾，提高半導體電荷分離效率，抑制電荷二次復合，加速表面反應動力學。

  科研團隊通過改善材料制備工藝以及恒電位光極化測試方法，有效提高了BiVO4活性及穩(wěn)定性。研究表明，無表面助催化劑修飾下的BiVO4在間歇性測試下，可以達到100小時的穩(wěn)定性，表現(xiàn)出超強的“自愈”特性。電化學測試顯示，半導體表界面產(chǎn)生的鈍化層和氧空位協(xié)助作用，有效減小了半導體電子與空穴復合，提高了表面水氧化動力學，從而抑制了光腐蝕。