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重磅!中芯國際工藝獲重大進展!

摘要:中國一站式IP和定制芯片領軍企業(yè)芯動科技,宣布公司已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產,功能一次測試通過!

 ICC訊 10月12日,中國一站式IP和定制芯片領軍企業(yè)芯動科技,宣布公司已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產,功能一次測試通過!

  芯動科技有限公司成立于2006年,是一家高端混合電路芯片設計公司,擁有自主全系列高帶寬高性能計算IP技術,曾多次在芯片先進工藝上填補國內空白。

  2020年,芯動科技推出中國標準的INNOLINK Chiplet高性能計算平臺(CPU/GPU/NPU),在各FinFET先進工藝上定制多款芯片,全部一次成功上量。

  在中芯國際N+1工藝尚待成熟的情況下,芯動科技的技術團隊投入數千萬元進行優(yōu)化設計,基于中芯國際N+1制程的首款芯片經過持續(xù)數月、連續(xù)多輪的測試迭代,成功助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸,向著實現大規(guī)模量產邁出了堅實一步。

  中芯國際是國內規(guī)模最大、也是技術最先進的集成電路芯片制造企業(yè),而N+1工藝是中芯國際在第一代先進工藝14nm量產之后的第二代先進工藝的代號。

  此前,中芯國際聯席CEO梁孟松博士曾介紹,與現有的14nm工藝相比,N+1工藝的性能提升20%,功耗降低57%,邏輯面積縮小63%,SoC面積減少55%。從邏輯面積縮小的數據來看,該工藝已與臺積電7nm相近。

  梁孟松博士表示,N+1代工藝在功耗及穩(wěn)定性上跟7nm工藝非常相似,但性能要低一些(業(yè)界標準是提升35%),所以中芯國際的N+1工藝主要面向低功耗應用的。中芯國際后續(xù)將推出的N+2在功耗上與N+1表現差不多,但主要面向高性能,同時成本也會有所增加。

  在此前公布的2020年上半年財報當中,中芯國際曾表示,第二代先進工藝(N+1)進展順利,已進入客戶產品驗證階段。9月下旬,中芯國際再度對外回應稱,第二代FinFET N+1工藝已經進入客戶導入階段,有望于2020年底小批量試產。

  結合相關報道,芯動科技是中芯國際N+1工藝的首批客戶,并有望年底試產。

  截至10月12日收盤,中芯國際漲11.47%,現報20.60港元,最新市值1186.51億港元。

  本文轉載自:中國半導體論壇

內容來自:中國半導體論壇
本文地址:http://odinmetals.com//Site/CN/News/2020/10/13/20201013031159903640.htm 轉載請保留文章出處
關鍵字: 中芯國際 芯片
文章標題:重磅!中芯國際工藝獲重大進展!
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