華西股份：索爾思有望助推國產(chǎn)高端光芯片突圍

  ICC訊 自從我國決心發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)以來，越來越多A股上市公司轉(zhuǎn)型參與芯片研發(fā)，或通過外延并購切入芯片產(chǎn)業(yè)鏈，或通過募投項目擴展業(yè)務面。

  曾經(jīng)主營滌綸化纖的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的華西股份(000936)在今年6月份成功收購索爾思光電38.33%的股權，累計持股比例達54.68%，成為索爾思光電的控股股東。華西股份借此向芯片等大類半導體的發(fā)展邁出了實質(zhì)性步伐，為未來的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型奠定了良好的基礎。 光芯片突圍勢在必行

  索爾思光電是全球領先、提供創(chuàng)新且可靠的光通信技術的供應商，其解決方案和產(chǎn)品廣泛應用于數(shù)據(jù)中心、城域網(wǎng)和接入網(wǎng)的通訊與數(shù)據(jù)連接。索爾思主營的光芯片是光模塊中用于光電轉(zhuǎn)換的核心部件，簡言之光芯片的性能與傳輸速率直接決定了光纖通信系統(tǒng)的傳輸效率。

  從光器件產(chǎn)業(yè)鏈上看，主要可以分為晶圓，光芯片，光器件，光模塊，光設備以及其它下游市場。其中，光芯片產(chǎn)業(yè)位于光通信產(chǎn)業(yè)鏈上游位置，且市場多為外國公司所占有，在近兩年種種外部因素干擾下，光芯片國產(chǎn)替代勢在必行。

  光芯片的制造過程可以分為芯片設計、基板制造、磊晶成長、晶粒制造四個環(huán)節(jié)。其中，磊晶生成的外延片質(zhì)量(Wafer)是決定光芯片性能的關鍵因素，且生成條件較為嚴苛，是光芯片制備的重要環(huán)節(jié)。磊晶生長主要有MOCVD 與MBE 兩種方式。

  近年來隨著400G光模塊逐漸部署，市場對于高速率光芯片的需求不斷提升。從現(xiàn)有技術規(guī)格來看，400G光模塊主要分為 OSFP(25G PAM4*8)、QSFP-DD(50G NRZ*8)、CFP8三種方案，其中采用25G光芯片的OSFP光模塊制造難度較低，但是功耗較大。采用50G光芯片的QSFP-DD因其功耗較小，但由于其采用50G光芯片，制造難度和成本較高，充分考驗產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)研發(fā)和協(xié)同合作能力。

  光芯片稀缺標的

  索爾思遍布全球的專業(yè)工程師團隊和公司的生產(chǎn)研發(fā)能力相輔相成，其中包括光電設備、光學組件和模塊設計領域的專家。索爾思2007年與LuminentOIC合并進一步提升在光通信領域的競爭力。索爾思在美國加州、中國臺灣、上海、成都和江蘇常州均建有產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)基地，擁有員工1000多名。

  索爾思的光模塊產(chǎn)品應用于數(shù)據(jù)中心、固定寬帶、無線寬帶、光傳輸網(wǎng)絡中，且掌握光芯片研發(fā)與制造能力。索爾思生產(chǎn)的10G1577nmEML、2.5G1490nmDFB、2.5G/10G1270nmDFB和10GAPD產(chǎn)品面向10GPON與GPON固網(wǎng)市場，而10GDFB與10GFP則服務于無線前傳、城域光傳輸、企業(yè)網(wǎng)等領域。公司的光芯片與TO產(chǎn)品均贏得了客戶的充分認可。

  索爾思全系列數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品滿足了數(shù)據(jù)中心和云服務的需求及挑戰(zhàn)，產(chǎn)品從低速到400G高速實現(xiàn)了全覆蓋，公司產(chǎn)品采用緊湊型封裝，為數(shù)據(jù)中心的新建部署以及現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心的升級提供了高性價比的解決方案。

  公司產(chǎn)品所支持的接口包括10Gb/s和40Gb/s短距(SR)和長距(LR)SFP+和QSFP+封裝光模塊。公司在全球率先推出的100GQSFP28封裝模塊憑借其獨特的創(chuàng)新技術，已在2016年實現(xiàn)大批量發(fā)貨。

  索爾思目前正在著力研發(fā)下一代SingleLambda100G及400G技術，以應對數(shù)據(jù)中心全新架構所需的更高帶寬要求。伴隨索爾思新產(chǎn)品實現(xiàn)突破并落地，華西股份業(yè)績有望借此實現(xiàn)飛躍，覽富財經(jīng)網(wǎng)也將持續(xù)關注。