逆向超車 美國復(fù)活90nm工藝：性能50倍于7nm芯片

  ICC訊  在先進芯片工藝上，美國廠商也落后于臺積電、三星了，這兩家量產(chǎn)或者即將量產(chǎn)的7nm、5nm及3nm遙遙領(lǐng)先，然而美國還有更多的計劃，并不一定要在先進工藝上超越它們，甚至準備逆行，復(fù)活90nm工藝，制造出來的芯片性能是7nm芯片的50倍。

  美國晶圓廠SkyWater日前宣布獲得美國國防部下屬的DARPA的進一步資助，后者將給予2700萬美元以推動開發(fā)90nm戰(zhàn)略抗輻射 (RH90) FDSOI 技術(shù)平臺，總的投資計劃高達1.7億美元。

  相比臺積電、三星、Intel等半導(dǎo)體公司，SkyWater不僅規(guī)模小，而且資歷也淺，2017年成立，晶圓廠主要來源于賽普拉斯半導(dǎo)體公司的芯片制造部門，工藝并不先進，主要生產(chǎn)130nm及90nm，部分先進芯片才到65nm級別。

  然而他們卻得到了美國DARPA的青睞，成立沒多久就開始參與后者的ERI電子復(fù)興計劃，該計劃在5年內(nèi)投資15億美元，推動美國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。

  ERI計劃中，SkyWater并沒有追求技術(shù)更強但更昂貴的先進工藝，而是用90nm工藝制造3D SoC芯片，通過集成電阻RAM、碳納米管等材料實現(xiàn)更強的性能，性能可達7nm芯片的50倍。

  當(dāng)然，這些技術(shù)現(xiàn)在還沒有實現(xiàn)完全突破，畢竟這樣的做法是之前沒有的，一旦成功了，可能是改變半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)則的新技術(shù)。