代工價(jià)格高達(dá)14萬(wàn)元 臺(tái)積電3nm真實(shí)性能大縮水：僅比5nm好了5%

  ICC訊  臺(tái)積電當(dāng)前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm，3nm工藝因?yàn)榉N種原因一直推遲，9月份就說(shuō)量產(chǎn)了，又說(shuō)年底量產(chǎn)，不過(guò)這個(gè)月就算量產(chǎn)，真正放量也要到明年了。

  根據(jù)臺(tái)積電之前的消息，3nm節(jié)點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工藝是最早量產(chǎn)的，但是這版工藝遭到客戶(hù)棄用，很大可能就放棄了，明年直接上N3E工藝。

  對(duì)比N5工藝，N3功耗可降低約25-30%，性能可提升10-15%，晶體管密度提升約70%。

  N3E在N3的基礎(chǔ)上提升性能、降低功耗、擴(kuò)大應(yīng)用范圍，對(duì)比N5同等性能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下性能提升18%，或者可以將晶體管密度提升60%，密度上甚至更低了一些。

  考慮到近年來(lái)摩爾定律一直在放緩，70%左右的密度提升看起來(lái)還不錯(cuò)，但這是臺(tái)積電公布的最好水平，指的是純邏輯芯片，SRAM緩存的密度就只有20%了，N3E還會(huì)更低。

  然而20%的提升依然是理論上的美好，臺(tái)積電之前在IEDM會(huì)議上公布了更真實(shí)的數(shù)據(jù)，3nm工藝的SRAM緩存在晶體管密度上只比5nm高出5%，指標(biāo)大幅縮水。

  盡管3nm工藝還有10-15%的性能或者25-30%的功耗改進(jìn)，但是這些指標(biāo)顯然也是非常理想的情況，實(shí)際提升也會(huì)跟密度一樣存在縮水。

  但是3nm晶圓的代工價(jià)格上漲是實(shí)實(shí)在在的，傳聞是2萬(wàn)美元一片，約合人民幣14萬(wàn)元，比5nm工藝漲價(jià)至少25%以上。

  而且14萬(wàn)元的價(jià)格還是基準(zhǔn)價(jià)，如果廠商的訂單量達(dá)不到臺(tái)積電的要求，價(jià)格還會(huì)大漲，超過(guò)10萬(wàn)美元也很正常，也就是70萬(wàn)人民幣了，這樣的價(jià)格下芯片設(shè)計(jì)廠商的成本根本撐不住。

  也難怪臺(tái)積電在需求下降的時(shí)候依然想逆勢(shì)漲價(jià)，但蘋(píng)果強(qiáng)硬拒絕，反擊臺(tái)積電的理由就是蘋(píng)果這幾年的利潤(rùn)率一直沒(méi)提升，臺(tái)積電自己的利潤(rùn)率已經(jīng)從50%提升到60%了。