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Yole:2028年全球宏基站應(yīng)用射頻前端市場將達(dá)38億美元

摘要:印度運(yùn)營商正雄心勃勃地部署5G網(wǎng)絡(luò)。Yole預(yù)測(cè),應(yīng)用于宏基站的射頻組件市場在2022年達(dá)到32億美元,預(yù)計(jì)到2028年將增長到38億美元。

  ICC訊(編譯:Nina)隨著移動(dòng)流量的指數(shù)級(jí)增長,運(yùn)營商繼續(xù)投資5G網(wǎng)絡(luò)。截至2022年底,移動(dòng)市場擁有12.3億部智能手機(jī)和690萬臺(tái)無線電設(shè)備,其中5G智能手機(jī)超過6億部,5G無線電設(shè)備近150萬臺(tái)。

  2022年,中國三大運(yùn)營商持續(xù)快速部署基站(BTS),其部署量占全球基站部署量的一半。印度運(yùn)營商正雄心勃勃地部署5G網(wǎng)絡(luò)。這將推動(dòng)無線電設(shè)備部署在2023年達(dá)到峰值,全球部署量超過750萬臺(tái)。

  Yole預(yù)測(cè),應(yīng)用于宏基站的射頻組件市場在2022年達(dá)到32億美元,預(yù)計(jì)到2028年將增長到38億美元。2023年,銷量和收入都將大幅增長,這主要是受印度5G網(wǎng)絡(luò)部署的推動(dòng)。在Massive MIMO天線滲透率上升的驅(qū)動(dòng)下,市場需求量也將繼續(xù)增長。

  Sub-6GHz小蜂窩(Small Cell)和5G毫米波有許多潛在的使用案例,但這些技術(shù)很難進(jìn)入市場;該市場增長緩慢,因?yàn)樵撔袠I(yè)正專注于C波段Massive MIMO部署。盡管如此,Yole預(yù)計(jì)從2024年開始,小蜂窩將穩(wěn)定增長,并大幅增加。到2028年,小蜂窩和毫米波無線電的RFFE市場預(yù)計(jì)將超過4億美元。

  恩智浦在射頻前端市場占據(jù)主導(dǎo)地位 占有35%的份額

  前5大RAN廠商(華為、愛立信、諾基亞、中興和三星)正在鞏固其領(lǐng)先地位。華為和中興由于在中國的大規(guī)模部署而增加了市場份額,三星則利用了其率先采用v-RAN和O-RAN戰(zhàn)略的機(jī)會(huì)。

  4G/5G無線基礎(chǔ)設(shè)施的射頻前端(RF Front-End,RFFE)生態(tài)系統(tǒng)在技術(shù)上是復(fù)雜的。有幾家公司占據(jù)了很大的市場份額,其中包括NXP、Qorvo、SEDI和Analog Devices。NXP是無可爭議的領(lǐng)導(dǎo)者,在整個(gè)RFFE市場中占有35%的市場份額。在晶圓層面,增長將由NXP和英飛凌等IDM和GlobalFoundries、Tower Semiconductor和ST Microelectronics等主要晶圓代工廠主導(dǎo)。

  中美貿(mào)易戰(zhàn)正在使中國與世界其他地區(qū)之間的供應(yīng)鏈兩極分化。因此,中國正在加快本土供應(yīng)鏈的發(fā)展,越來越多的公司出現(xiàn)在RFFE領(lǐng)域。

  RAN正朝著5G SA和更多Massive MIMO的方向發(fā)展

  全球5G的開端是非獨(dú)立5G(5G NSA),以確??焖偻瞥霾⑴c4G LTE平穩(wěn)共存。5G獨(dú)立(5G SA)需要新的投資,但可以實(shí)現(xiàn)新的用例,如網(wǎng)絡(luò)切片,運(yùn)營商可以將其用于將5G投資貨幣化。

  無線電正在使用高階MIMO系統(tǒng),這極大地影響了RFFE組件的需求量。有一種趨勢(shì)是采用更低功率電子器件和更高集成水平,比如用于32T32R和64T64R AAS的集成了驅(qū)動(dòng)器和預(yù)驅(qū)動(dòng)器的10W和5W PA模塊。

  對(duì)功耗優(yōu)化的需求正在加速向GaN-SiC(氮化鎵-碳化硅)末級(jí)功率放大器的轉(zhuǎn)變。最后階段PA(功率放大器)占RFFE市場的45%。GaN比LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)更高效,因此大多數(shù)新的AAS設(shè)計(jì)都是基于GaN的。在英飛凌的PA模塊的支持下,GaN Si有望進(jìn)入中頻Massive MIMO天線市場。

  從長遠(yuǎn)來看,6G的研究已經(jīng)開始。從技術(shù)角度來看,主要挑戰(zhàn)將是傳輸太赫茲頻率(100–300GHz),這需要新的技術(shù)、設(shè)備和組件。InP(磷化銦)或SiGe(矽鍺)被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)6G的潛在技術(shù)。

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