三星高管：2納米芯片工藝占領(lǐng)先地位 五年內(nèi)將超越臺(tái)積電

  ICC訊 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星電子芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人本周表示，三星電子將在五年內(nèi)超越規(guī)模更大的代工競爭對(duì)手臺(tái)積電，在芯片加工領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。

  三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁兼負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun稱，雖然三星目前在芯片加工技術(shù)上落后于臺(tái)積電，但該公司有望在2納米加工節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先這家中國臺(tái)灣公司。

  “老實(shí)說，我們的代工技術(shù)比臺(tái)積電落后一兩年。然而，一旦臺(tái)積電加入到2納米技術(shù)的競爭中，三星將引領(lǐng)潮流，”Kyung Kye-hyun在韓國科學(xué)技術(shù)院的一次演講中說到?！霸谖迥陜?nèi)，我們可以超越臺(tái)積電?！?

  去年，三星電子在全球率先基于全環(huán)繞柵極(Gate-All-Around,GAA)晶體管結(jié)構(gòu)量產(chǎn)了3納米芯片。GAA架構(gòu)是下一代代工微細(xì)加工工藝，是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可以改善靜電特性，從而提高性能，降低功耗和優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)。

  三星表示，與之前的處理節(jié)點(diǎn)相比，3納米GAA技術(shù)的性能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面積減少了45%。

  三星電子此前表示，計(jì)劃從2025年開始量產(chǎn)基于GAA架構(gòu)的2納米芯片。

  臺(tái)積電和其他代工企業(yè)使用的是一種被稱為鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)工藝的技術(shù)。由于其結(jié)構(gòu)酷似魚的背鰭，因此也被稱為鰭式晶體管。

  報(bào)道稱，臺(tái)積電計(jì)劃從2納米節(jié)點(diǎn)開始將GAA技術(shù)應(yīng)用于芯片制造工藝。

  “三星的4納米技術(shù)落后臺(tái)積電兩年，而我們的3納米技術(shù)落后大約一年。但當(dāng)臺(tái)積電進(jìn)入2納米工藝時(shí)，情況將發(fā)生變化?！盞yung Kye-hyun說?！翱蛻魧?duì)我們的GAA技術(shù)很滿意。幾乎所有的大公司都在與我們合作，盡管我不能透露他們的名字。三星的代工客戶群正在增長。”

  封裝技術(shù)

  Kyung Kye-hyun表示，三星也在努力提高其芯片封裝技術(shù)，以保持領(lǐng)先于競爭對(duì)手。

  “隨著半導(dǎo)體工藝小型化變得越來越困難，性能最終將通過封裝來提高?！彼f。

  據(jù)稱，三星去年成立了一個(gè)先進(jìn)的封裝團(tuán)隊(duì)，該公司預(yù)計(jì)在3-4年內(nèi)會(huì)有顯著提升。

  這位三星高管還表示，在不久的將來，存儲(chǔ)芯片在人工智能(AI)服務(wù)器中的重要性將超過英偉達(dá)的GPU。

  “到2028年，將有可能出現(xiàn)以存儲(chǔ)半導(dǎo)體為中心的超級(jí)計(jì)算機(jī)?！彼f。

  中國市場

  對(duì)于美國對(duì)芯片制造商在華業(yè)務(wù)的政策收緊，他表示三星可以承受。

  他表示，“雖然我們?cè)谥袊靼驳墓S投資需要獲得批準(zhǔn)，但我認(rèn)為這不會(huì)對(duì)我們的整體業(yè)務(wù)造成任何重大壓力。我們將努力化危為機(jī)?！?

  華盛頓和北京之間不斷升級(jí)的半導(dǎo)體競爭給等全球芯片制造商帶來了風(fēng)險(xiǎn)，包括三星及其本土競爭對(duì)手SK海力士。一名美國政府高級(jí)官員今年2月表示，美國可能會(huì)對(duì)三星和SK海力士在華可以發(fā)展的技術(shù)水平設(shè)定上限。

  在中國市場，三星電子在西安設(shè)有一家NAND閃存工廠，在蘇州則運(yùn)營著一家芯片封裝工廠。三星西安工廠占該公司全球NAND產(chǎn)量的近40%。自2021年以來，三星已在西安工廠投資258億美元。

  去年，三星公布其中國業(yè)務(wù)的銷售收入為 35.63 萬億韓元(272億美元)。