武漢鑫威源實(shí)現(xiàn)高性能氮化鎵激光芯片研制及產(chǎn)線通線試產(chǎn)

  ICC訊 近日，武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“武漢鑫威源”）發(fā)布消息稱，公司在高性能氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破，同時(shí)氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線順利完成通線試產(chǎn)。

  據(jù)公開消息顯示，武漢鑫威源是一家專注于氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片的設(shè)計(jì)、開發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體激光器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。在湖北武漢江夏區(qū)政府及相關(guān)部門的大力支持下，鑫威源完成了廠房建設(shè)。廠房位于江夏經(jīng)開區(qū)大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園，于2024年4月完成了廠房建設(shè)，總投資10億元。同時(shí)，無(wú)塵車間內(nèi)的恒溫恒濕、凈化、水處理及安全系統(tǒng)也相繼達(dá)標(biāo)并投入使用。

  據(jù)悉，在項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)的不懈努力下，鑫威源廠房竣工后迅速完成了超過(guò)一百臺(tái)套制造設(shè)備的安裝和調(diào)試，成功打通了芯片制造產(chǎn)線。在廠區(qū)內(nèi)，公司完成了相關(guān)技術(shù)能力的轉(zhuǎn)移，并順利進(jìn)行了產(chǎn)品試驗(yàn)生產(chǎn)。今年9月，武漢鑫威源實(shí)現(xiàn)了藍(lán)光450 nm激光芯片的重大技術(shù)突破：閾值電流小于 0.25 A，功率大于7 W@3.5 A，光電轉(zhuǎn)換效率WPE達(dá)到45%，芯片綜合技術(shù)指標(biāo)處于國(guó)內(nèi)頂尖水平。產(chǎn)品技術(shù)可以滿足市場(chǎng)對(duì)大功率氮化鎵半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用要求，為后續(xù)的量產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

  作為新興光電子行業(yè)的高科技企業(yè)，武漢鑫威源電子科技有限公司旨在建設(shè)一流的氮化鎵大功率半導(dǎo)體激光器全流程的研究及生產(chǎn)平臺(tái)，企業(yè)相關(guān)負(fù)責(zé)人表示：在項(xiàng)目投產(chǎn)后，將彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)白，企業(yè)也會(huì)將促進(jìn)氮化鎵半導(dǎo)體激光器在國(guó)內(nèi)的應(yīng)用和發(fā)展作為己任，持續(xù)推動(dòng)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

  此次通線試產(chǎn)的成功，不僅展示了武漢鑫威源在氮化鎵激光芯片技術(shù)領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力，也標(biāo)志著企業(yè)在實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化方面邁出了關(guān)鍵一步。未來(lái)，武漢鑫威源將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量提升，為國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)提供高性能、可靠的氮化鎵半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品，助力光電子行業(yè)的蓬勃發(fā)展。