新品發(fā)布 | 聯(lián)訊儀器高壓低漏電開關(guān)矩陣RM1013-HV，滿足功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試應(yīng)用！

  ICC訊 隨著人工智能、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的蓬勃推進(jìn)，寬禁帶半導(dǎo)體材料——尤其是碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）——憑借其卓越性能迎來了迅猛的發(fā)展勢(shì)頭。為了深入剖析并精確測(cè)量這些先進(jìn)器件的各項(xiàng)參數(shù)及特性，進(jìn)而提升其效率與可靠性，聯(lián)訊儀器最新推出了10x24高壓低漏電開關(guān)矩陣——RM1013-HV，能夠在小于300pA的偏置電流滿足3000V高壓測(cè)量，完成各種高精度的半導(dǎo)體表征測(cè)試。

  01,高精度自動(dòng)測(cè)量

  聯(lián)訊儀器最新推出了10x24高壓低漏電開關(guān)矩陣——RM1013-HV，能夠在小于300pA的偏置電流滿足3000V高壓測(cè)量，可配合高精度SMU完成各種功率半導(dǎo)體的表征測(cè)試。

▲RM1013-HV高壓低泄漏開關(guān)矩陣框圖 

  多路高壓靈活測(cè)量

  支持2路高壓低泄漏電流通道輸入，整機(jī)支持10路輸入和24路輸出，提高參數(shù)測(cè)量的靈活性，節(jié)省成本和時(shí)間，可配合HVSMU/SMU/CMU/DMM等測(cè)量設(shè)備實(shí)現(xiàn)一套高效的半導(dǎo)體參數(shù)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)。

  高壓低泄漏電流

  矩陣低泄漏電流小于300pA@3000V（高壓低泄漏電流通道），可配合高精度的SMU （如S3030F等）實(shí)現(xiàn)高精度自動(dòng)測(cè)量。

  支持快速測(cè)量

  開關(guān)矩陣電流建立時(shí)間小于10秒（1V電壓輸入開始到電流<300fA的時(shí)間），可配合SMU （如S3030F，S2016C等）實(shí)現(xiàn)微弱電流信號(hào)的快速測(cè)量。

  高繼電器觸點(diǎn)壽命

  開關(guān)矩陣使用世界一流的干簧管制作的繼電器，機(jī)械壽命最高可達(dá)10^8次。

  10MHz帶寬

  開關(guān)矩陣優(yōu)化了C-V和DMM通道的傳輸帶寬，滿足高速測(cè)試的需求。

  控制連接

  支持通過USB線纜或LAN直接連接至RM1013-HV，實(shí)現(xiàn)通道閉合斷開的控制

  可以通過編程(SCPI 指令)或GUI界面控制。界面GUI非常直觀和簡(jiǎn)潔，可輕松配置通道的閉合、斷開進(jìn)行測(cè)量。

▲矩陣控制軟件GUI

  02,通道配置

  03，典型應(yīng)用場(chǎng)景

  功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試

  使用高壓低漏電開關(guān)矩陣可以與源表/高壓源表/LCR meter/數(shù)字萬用表等儀表無縫集成，組成強(qiáng)大的功率器件I-V、C-V參數(shù)自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)。可以高效測(cè)量MOSFET/IGBT/BJT/Diode/電容/電阻等器件的I-V、C-V各項(xiàng)特征參數(shù)，例如MOSFET 的BVdss、Off-leak/Id(off)-Vds、 Id-Vds等。不同器件及不同測(cè)量項(xiàng)目之間通過編程控制自動(dòng)進(jìn)行連接路徑切換，一站式完成測(cè)量。

▲矩陣路徑切換示意圖

  在半導(dǎo)體功率器件測(cè)試中通常需要測(cè)量Ciss/Coss/Crss等高壓電容參數(shù)。高壓電容測(cè)量與I-V測(cè)量之間的路徑切換一直是測(cè)試中的難點(diǎn)，高壓切換矩陣中內(nèi)置了可切換的高壓電容測(cè)量偏置電路(HV Bias Tee)，可以有效地解決這個(gè)問題。

▲SiC MOSFET 電容特性

▲電容等效模型