華為、哈工大聯(lián)手：基于硅和金剛石的三維集成芯片專利公布

  ICC訊 近日，華為技術(shù)有限公司與哈爾濱工業(yè)大學(xué)共同申請了一項名為“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片混合鍵合方法”的專利。該專利已在2023年10月27日申請公布。

  據(jù)悉，這項新發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。其工作流程包括制備硅基Cu/SiO2混合鍵合樣品和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品，并進行等離子體活化處理。隨后，將這些經(jīng)過等離子體活化的Cu/SiO2混合鍵合樣品浸泡在有機酸溶液中進行清洗，然后將其干燥。

  接下來，在吹干后的硅基和/或金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品上滴加氫氟酸溶液，形成預(yù)鍵合表面。接著，對準(zhǔn)貼合并進行預(yù)鍵合操作以得到預(yù)鍵合芯片。最后，通過熱壓和退火處理來完成整個混合鍵合過程。

  這一創(chuàng)新的技術(shù)方法實現(xiàn)了使用Cu/SiO2混合鍵來連接不同材質(zhì)的硅與金剛石，實現(xiàn)三維異質(zhì)集成的效果。此發(fā)明有可能帶來未來芯片制造技術(shù)的重大突破。

  需要注意的是，此新技術(shù)可能會引發(fā)培育鉆石概念的漲幅超過16%。