ICCSZ訊 是德科技公司近期宣布推出最新款的高性能先進(jìn)低頻噪聲分析儀(A-LFNA),旨在實(shí)施快速、準(zhǔn)確、可重復(fù)的低頻噪聲測(cè)量。該版本配備全新用戶界面,并與是德科技的WaferProExpress軟件緊密集成——這是一款對(duì)半導(dǎo)體器件執(zhí)行自動(dòng)化晶圓級(jí)測(cè)量的平臺(tái)。作為這一大框架的組成部分,該平臺(tái)能讓工程師更好地理解器件和電路中的噪聲。相比之下,獨(dú)立系統(tǒng)要達(dá)到同樣目標(biāo),需要進(jìn)行大量復(fù)雜測(cè)量。
當(dāng)今的半導(dǎo)體器件表征工程師通常希望采用靈活、可擴(kuò)展的噪聲測(cè)量系統(tǒng)。他們尤其需要一個(gè)功能強(qiáng)大的綜合性平臺(tái),以便將先進(jìn)的低頻器件噪聲測(cè)量和分析與晶圓級(jí)測(cè)量集于一身,從而能夠管理完整的晶圓級(jí)表征。是德科技的A-LFNA與WaferProExpress軟件完美集成,能夠提供這樣的功能。該綜合解決方案有助于工程師對(duì)晶圓級(jí)以及封裝的各類元件、單獨(dú)器件和集成電路進(jìn)行噪聲測(cè)量。與以前一樣,使用WaferProExpress的工程師可以通過(guò)編程執(zhí)行快速直流、電容和射頻S參數(shù)測(cè)量,并可排列測(cè)量順序,同時(shí)自動(dòng)化控制探針臺(tái)?,F(xiàn)在,隨著噪聲測(cè)量模塊的推出,他們能將噪聲測(cè)量和分析添加到測(cè)試套件中。
ALFNA內(nèi)置的測(cè)量程序能進(jìn)行完整的直流和噪聲測(cè)量。例如,為了測(cè)量N型MOSFET上的噪聲,系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)選擇能最好地呈現(xiàn)固有器件噪聲的源和負(fù)載阻抗。工程師可以采用這些建議的設(shè)置,也可以對(duì)其做出更改,然后啟動(dòng)噪聲測(cè)量。A-LFNA會(huì)對(duì)噪聲功率譜密度(1/f噪聲)和時(shí)域的RTN噪聲進(jìn)行測(cè)量。得出的數(shù)據(jù)在多圖數(shù)據(jù)顯示窗口中繪圖顯示。各種窗口選項(xiàng)卡有助于執(zhí)行常見(jiàn)的任務(wù),如評(píng)測(cè)器件的直流工作點(diǎn),以及測(cè)量功率譜密度曲線的斜率。使用是德科技的ModelBuilderProgram(MBP)和IC-CAP等器件建模工具,也可以通過(guò)器件模型對(duì)噪聲數(shù)據(jù)進(jìn)行分析并顯示結(jié)果。電路設(shè)計(jì)人員能夠使用這些器件模型來(lái)確保高精度的射頻和模擬低噪聲電路設(shè)計(jì)。
是德科技副總裁兼設(shè)計(jì)與測(cè)試軟件事業(yè)部總經(jīng)理ToddCutler表示:“我們的客戶在進(jìn)行器件表征和建模時(shí),會(huì)面臨不同的測(cè)試需求,包括氮化鎵可靠性、CMOS建模和磁性傳感器測(cè)試等。通過(guò)A-LFNA的新軟件用戶界面,我們?yōu)榭蛻籼峁┝霜?dú)一無(wú)二的能力,使其能對(duì)晶圓上的器件噪聲進(jìn)行測(cè)量和建模,同時(shí)還為他們提供了全面、靈活的測(cè)量選項(xiàng),用于測(cè)量從直流到電容再到微波頻率S參數(shù)的各方面特性”。
是德科技的A-LFNA具有業(yè)界領(lǐng)先的噪聲靈敏度(-183dBV2/Hz),器件建模和電路表征工程師能用它來(lái)快速、準(zhǔn)確地表征高壓(200V)和超低頻率(0.03Hz)的器件。這種能力使其非常適用于半導(dǎo)體工廠開(kāi)發(fā)制程設(shè)計(jì)套件,以及在器件制造過(guò)程中進(jìn)行統(tǒng)計(jì)制程控制。運(yùn)算放大器和線性穩(wěn)壓器的IC制造商還可以使用A-LFNA來(lái)表征其技術(shù)資料中的輸出電壓噪聲技術(shù)指標(biāo)。
新聞來(lái)源:CK365中國(guó)測(cè)控網(wǎng)
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