將首發(fā)供應(yīng)DDR4:國產(chǎn)17nm內(nèi)存芯片良率或達40%

訊石光通訊網(wǎng) 2022/2/24 14:58:27

  ICC訊 今年合肥長鑫將推出下一代17nm工藝內(nèi)存芯片,首發(fā)產(chǎn)品是DDR4。

  來自大摩的分析稱,合肥長鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經(jīng)達到了40%,預(yù)計Q2季度就會給客戶供應(yīng)產(chǎn)品,其成本相比臺系廠商的20nm、25nm工藝內(nèi)存更有優(yōu)勢。至于生產(chǎn)方面,大摩稱合肥長鑫的產(chǎn)能今年會增加到8萬片晶圓/月,并在北京新建工廠,量產(chǎn)17nm工藝內(nèi)存芯片。

  此外,長鑫還會研發(fā)7nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存,再下一代的10G5工藝中,除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。在2020年、2021年,長鑫分別實現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標(biāo),2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬片晶圓/月,未來的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬片晶圓/月。

新聞來源:中關(guān)村在線

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