ICC訊 8月20日消息,據(jù)報道,臺積電近期傳出將展開評估在美投資興建第二座晶圓廠,擬切入3納米制程,建廠時程約2年后。對此,臺積電8月19日表示,不回應(yīng)市場傳聞。
此前,臺積電美國亞利桑那州 5 納米新廠,已于7月底上梁,預(yù)計一期于2024年量產(chǎn),第一期月產(chǎn)能2萬片。
不過,由于臺積電亞利桑那州廠土地面積廣大,占地約445公頃,先前就多次傳出,臺積電將擴大亞利桑那州投資計劃,預(yù)計建6座晶圓廠。
臺積電總裁魏哲家去年也曾說,臺積電已在亞利桑那州取得大范圍土地,以維持彈性,進一步擴建是有可能的,但首要任務(wù)是使第一期廠房順利量產(chǎn),接著根據(jù)營運效率、成本效益,及客戶需求來決定下一步計劃。
據(jù)了解,臺積電的3nm工藝仍將采用FinFET晶體管的結(jié)構(gòu),而三星的3nm節(jié)點采用GAA晶體管架構(gòu)。三星甚至領(lǐng)先于臺積電,將3nm工藝技術(shù)轉(zhuǎn)向量產(chǎn)。
消息人士指出,AMD、蘋果、博通、英特爾、聯(lián)發(fā)科、英偉達和高通等廠商均已向臺積電下達3nm芯片訂單。但三星的3nm GAA工藝尚未吸引主要芯片供應(yīng)商的訂單。
新聞來源:中國半導(dǎo)體論壇