國家信息光電子創(chuàng)新中心能力建設(shè)項目通過工信部驗收

  ICC訊   近日，工業(yè)和信息化部產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)中心在武漢組織召開驗收會議。總投資超過5.4億元的2017年工業(yè)轉(zhuǎn)型升級《信息光電子創(chuàng)新中心能力建設(shè)項目》通過驗收。項目完成了建設(shè)方案所列各項建設(shè)任務(wù)，達(dá)到了項目實施目標(biāo)和考核指標(biāo)，標(biāo)志著創(chuàng)新中心能力平臺建設(shè)全面完成，成為我國光電子器件芯片自主研發(fā)的重要工藝平臺，在支撐我國通信系統(tǒng)核心器件自主可控方面發(fā)揮了重要作用。

  工信部科技司副司長范書建充分肯定了兩個制造業(yè)創(chuàng)新中心在承擔(dān)國家重大任務(wù)、破解行業(yè)“卡脖子”關(guān)鍵技術(shù)方面所取得的成效以及通過國家級制造業(yè)創(chuàng)新中心平臺對技術(shù)成果進(jìn)行工程化研發(fā)、成果轉(zhuǎn)化和企業(yè)孵化方面的工作探索。他鼓勵創(chuàng)新中心積極投身國家重大工程和重點項目，持續(xù)釋放科技成果轉(zhuǎn)化平臺效能，持續(xù)推進(jìn)測試驗證、中試孵化等創(chuàng)新能力建設(shè)，在創(chuàng)新中心轉(zhuǎn)為運營期的重要節(jié)點上精準(zhǔn)發(fā)力，搶占光電子信息產(chǎn)業(yè)、數(shù)字化設(shè)計與制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展新高地。

  湖北省經(jīng)信廳副廳長江斌對中心順利通過項目驗收表示祝賀，要求創(chuàng)新中心要不斷突破核心技術(shù)，創(chuàng)造更多創(chuàng)新成果，提升行業(yè)支撐與帶動作用;將項目通過國家驗收作為新起點，充分發(fā)揮“公司﹢聯(lián)盟”的優(yōu)勢，持續(xù)機(jī)制創(chuàng)新，以技術(shù)服務(wù)行業(yè)，支撐我國制造業(yè)重點產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新不斷超越，希望創(chuàng)新中心的成果能引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。

  中國工程院院士王玉忠充分肯定了創(chuàng)新中心在平臺建設(shè)、技術(shù)突破、機(jī)制創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)化方面所取得的成果，對創(chuàng)新中心在行業(yè)支撐、公共服務(wù)、參與國家重大規(guī)劃及智庫建設(shè)方面的工作成效表示贊賞。他表示，創(chuàng)新中心不斷突破核心技術(shù)，平臺建設(shè)成果顯著，行業(yè)支撐與帶動作用明顯。創(chuàng)新中心應(yīng)把項目驗收作為新的起點，充分發(fā)揮股東建構(gòu)優(yōu)勢，持續(xù)機(jī)制創(chuàng)新，以技術(shù)服務(wù)行業(yè)，支撐我國光電子信息產(chǎn)業(yè)的自立自強(qiáng)和不斷超越。

  中國信科副總經(jīng)理、總工程師陳山枝對工信部、湖北省經(jīng)信廳和武漢市經(jīng)信局在中國信科集團(tuán)數(shù)十年來發(fā)展及信息光電子創(chuàng)新中心建設(shè)等工作給予的指導(dǎo)與大力支持表示感謝。

  中國工程院院士、創(chuàng)新中心專家委員會主任余少華全面介紹了創(chuàng)新中心成立以來總體發(fā)展情況，他用“強(qiáng)核、破卡、壯圈、融鏈”八個字概括總結(jié)了中心五年來的建設(shè)歷程。他指出，創(chuàng)新中心充分依托平臺優(yōu)勢，將以國家戰(zhàn)略科技力量為核心的光子芯片技術(shù)創(chuàng)新鏈與硅基光電子芯片自主可控產(chǎn)業(yè)鏈深度融合，不斷加強(qiáng)研發(fā)攻關(guān)，延伸創(chuàng)新鏈、完善產(chǎn)業(yè)鏈，大大提升了我國信息光電子產(chǎn)業(yè)鏈的核心競爭力。

  項目負(fù)責(zé)人、創(chuàng)新中心總經(jīng)理肖希匯報了能力建設(shè)項目實施成效。他從項目目標(biāo)、建設(shè)內(nèi)容、財務(wù)組織管理、經(jīng)濟(jì)社會效益評價及驗收自評價和展望五個方面介紹了項目的完成情況。

  據(jù)了解，在平臺建設(shè)方面，項目完成了Ⅲ-V族高端光電器件芯片工藝平臺、硅光集成芯片工藝平臺、芯片測試及器件封裝工藝平臺的平臺建設(shè)，形成了高端光電子芯片技術(shù)的研發(fā)能力及覆蓋光電子芯片設(shè)計仿真、PDK 開發(fā)、工藝流片、光電子封裝、測試篩檢和特性評價的完整中試能力，是支撐我國光電子器件芯片自主研發(fā)的重要工藝平臺。

  在關(guān)鍵共性技術(shù)研發(fā)方面，項目突破超高速光器件、光電協(xié)同、高頻高密度光電封裝、先進(jìn)傳輸和控制算法四大關(guān)鍵技術(shù)，掌握了InP和硅光兩大光子集成平臺的多功能單片集成技術(shù)，開發(fā)了光域合成新型PAM4光信號發(fā)射芯片架構(gòu)，研制出80GHz光電探測器和超110GHz電光調(diào)制器芯片技術(shù)，掌握并突破了高頻高密度光電封裝工藝。研發(fā)的高速率電光調(diào)制器技術(shù)取得重大進(jìn)展，在國內(nèi)率先完成了Pb/s級超大容量光傳輸系統(tǒng)實驗。

  在產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面，項目開展了一系列關(guān)鍵光子集成芯片和器件產(chǎn)品的攻關(guān)。完成國內(nèi)首款商用100Gb/s硅光芯片及400Gb/s光模塊的正式投產(chǎn)和規(guī)模應(yīng)用，多款商用芯片取得產(chǎn)業(yè)化突破，在光傳感、光量子、光測量等領(lǐng)域研制出一批特種光電芯片和器件產(chǎn)品，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。在支撐我國通信系統(tǒng)核心器件自主可控方面發(fā)揮了重要作用。

  在知識產(chǎn)權(quán)方面，項目期內(nèi)累計申請發(fā)明專利152項，其中PCT專利5項;中國發(fā)明專利147項，參與制定國家標(biāo)準(zhǔn)1項，牽頭行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和課題6項，參與制訂行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)26項，累計發(fā)表學(xué)術(shù)論文88篇。在超高速光芯片、先進(jìn)封裝、量子信息、測試測量等方面獲得標(biāo)準(zhǔn)話語權(quán)。

  項目面向5G等光電子產(chǎn)業(yè)，提供芯片中試熟化、模塊開發(fā)、測試測量、標(biāo)準(zhǔn)制訂等服務(wù)100余次，完善產(chǎn)業(yè)鏈、服務(wù)全行業(yè)，充分發(fā)揮了國家級制造業(yè)平臺的使命擔(dān)當(dāng)。同時在服務(wù)中探索市場化運營機(jī)制，主營業(yè)務(wù)收入穩(wěn)步增長，展現(xiàn)了市場化運作的效益和能力。