多光子非線性量子干涉首次實現(xiàn)

  ICC訊 記者16日從中國科學技術大學獲悉，該校郭光燦院士團隊任希鋒研究組與國外同行合作，基于光量子集成芯片，在國際上首次展示了四光子非線性產生過程的干涉。相關成果日前發(fā)表在光學權威學術期刊《光學》上。

  量子干涉是眾多量子應用的基礎，特別是近年來基于路徑不可區(qū)分性產生的非線性干涉過程越來越引起人們的關注。盡管雙光子非線性干涉過程已經(jīng)實現(xiàn)了20多年，并且在許多新興量子技術中得到應用，直到2017年，人們才在理論上將該現(xiàn)象擴展到多光子過程，但實驗上由于需要極高的相位穩(wěn)定性和路徑重合性，一直未獲得新進展。光量子集成芯片，以其極高的相位穩(wěn)定性和可重構性逐漸發(fā)展成為展示新型量子應用、開發(fā)新型量子器件的理想平臺，也為多光子非線性干涉研究提供了實現(xiàn)的可能性。

  任希鋒研究組長期致力于硅基光量子集成芯片開發(fā)及相關應用研究并取得系列重要進展。在前工作基礎上，研究組通過進一步將多光子量子光源模塊、濾波模塊和延時模塊等結構片上級聯(lián)，在國際上首次展示了四光子非線性產生過程的相干相長、相消過程，其四光子干涉可見度為0.78。而雙光子符合并未觀測到隨相位的明顯變化，這同理論預期一致。整個實驗在一個尺寸僅為3.8×0.8平方毫米的硅基集成光子芯片上完成。

  這一成果成功地將兩光子非線性干涉過程擴展到多光子過程，為新型量子態(tài)制備、遠程量子計量以及新的非局域多光子干涉效應觀測等應用奠定了基礎。審稿人一致認為這是一個重要的研究工作，并給出了高度評價：該芯片設計精良，包含多種集成光學元件，如糾纏光子源、干涉儀、頻率濾波器/組合器；這項工作推動了集成光子量子信息科學與技術研究領域的發(fā)展。