臺(tái)積電3nm制程工藝取得突破！

  ICC訊  據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電3納米芯片研發(fā)近期獲得突破，該公司決定8月以第2版3納米制程工藝投產(chǎn)。

  報(bào)道稱，一度因開發(fā)時(shí)程延誤的臺(tái)積電3nm制程近期獲得重大突破，延誤曾導(dǎo)致蘋果公司新一代處理器仍采用5nm加強(qiáng)版N4P。臺(tái)積電決定今年率先量產(chǎn)第二版3nm 制程N(yùn)3B，將于今年8月于新竹12廠研發(fā)中心第八期工廠及南科18廠 P5廠同步投片，正式以鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu)，對(duì)決三星的環(huán)繞閘極(GAA)制程。

  臺(tái)積電的3nm 制造工藝仍將在今年晚些時(shí)候投入生產(chǎn)。進(jìn)入生產(chǎn)的變體被稱為“N3B”，Digitims 預(yù)計(jì)初始產(chǎn)量將在每月4萬至5萬片之間?！癗3B”之后，很快就會(huì)有一個(gè)被稱為“N3E”的高級(jí)變體，預(yù)計(jì)將在2023年投入生產(chǎn)。